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发生产的此款适用于采用三相桥式全控、三相桥式半控或带平衡电抗器双反星形可控硅整流电路的直流调压装置和采用可控硅反并联式三相交流调压线路的交流调压装置。
1.此型号可控硅控制器由低压电源兼同步变压器、模拟—数字触发器、脉冲变压器、脉冲封锁、相序自锁定等部分组成。
可控硅控制器技术参数
2.1触发输出(六路双脉冲列)
脉冲宽度：＞1.6ms
脉冲电流峰值：＞800mA
各相脉冲不均衡度：≤1°
移相范围：0—170°
2.2输入控制信号
控制电压：0—10V
控制电流：4—20mA
脉冲封锁信号：≥5V
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