PVD物理气相沉积镀膜

显然，单晶硅材料是目前为止*重要的半导体材料，没有。一方面作为IC芯片引领智能计算机/手机等等和自动化控制领域，另一方面又可作为功能材料，为工业界/实验室/科研单位等提供良好的单晶/外延载体，为人类的科研北京尧电科技创新事业再续力量。

    本司提供：2英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸单抛，双抛硅片。并可加工成方片，及其他规格小片，大片。支持混批，支持私人定制。

材质：高纯硅Si单晶基片 ；

导电类型：N/P型可选，电阻率：0.0001-100欧，

生长方式:  直拉

晶 向: [111]/[100]/[110];

平 整 度: <1微米（衡量整体翘曲程度）

表面粗糙度：5埃左右(衡量表面微观形貌)；

用   途: 1、PVD/CVD镀膜做衬底；

        2、用作XRD(X射线衍射分析)、SEM(扫描电镜)、AFM(原子力显微镜)、FTIR红外、

荧光光谱等分析测试北京尧电科技基底；

       3、同步辐射实验样品载体；

       4、分子束外延生长的基底；

       5、半导体光刻工艺等等

单晶硅-Si基片-IC级芯片-科研试验作为外延芯片或镀膜基片

LASF N9 光学玻璃片

以下来自百度百科 仅供参考 谢谢！！

·         　　利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。

·         　　先是石头，（石头都含硅），把石头加热，变成液态，在加热变成气态，把气体通过一个密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住的，气体通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢就变粗了，因为是气体变固体，所以很慢，一个月左右，箱子里有就很多长长的原生多晶硅，当然，还有很多的废气啊什么的，（四氯化硅）就是生产过程中产生的吧，好像现在还不能很好处理这东西，废话不多说，原生多晶有了，就开始酸洗，氢氟酸啊硝酸啊，乙酸啊什么的把原生多晶外面的东西洗干净了，就过烘房烘干，无尘检查打包，送到拉晶，拉晶就是用拉晶炉把多晶硅加热融化，在用子晶向上拉引，工人先把多晶硅放进石英锅里，（厂里为了减少成本，也会用一些洗好的电池片，碎硅片一起融）关上炉子加热，石英锅的融点是1700度，硅的融点才1410度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转起来，子晶从上面下降，点到锅的中心液面点，也慢慢反方向转，锅下面同时在电加热，液面上加冷，子晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引，放肩，转肩，正常拉棒，收尾，一天半左右，一个单晶棒就出来了，当然还有很多是经验，我文笔不太好，说不清楚，比如放母合金，控制温度什么的，单晶棒有了就切方，单晶棒一般是做6英寸的，P型，电阻率0。5-6欧姆（一英寸等于2。4厘米左右）切掉棒子四边，做成有倒角的正方形，在切片，0。22毫米一片吧。

·         　　单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95[%]以上的半导体器件及99[%]以上的集成电路用硅。

　　但我国硅单晶产量主要集中在技术含量偏低的太阳能用单晶硅上，IC用硅单晶尤其是8英寸以上硅晶片基本依赖进口，远不能满足国内IC市场的需求。但在2007年5月24日，国家“863”计划超大规模集成电路（IC）配套材料重大专项总体组在北京组织专家对西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的“TDR-150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”完成了验收。这标志着拥有自主知识产权的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备，在我国首次研制成功。这项产品初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。

　　未来中国国内的太阳能应用市场必然会成长起来，这可以从国家对新能源的政策倾斜看出来。过去太阳能电池的主要市场是德国，以后，美国、日本及中国将可能成为新兴市场。太阳能电池广阔的发展空间，将为单晶硅带来巨大的需求。

北京尧电科技有限公司提供单晶硅片和单晶硅-Si基片-IC级芯片-科研试验作为外延芯片或镀膜基片

PVD物理气相沉积镀膜

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