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6SL3130-7TE28-0AA3,哈尔滨工控机

点击次数:203发布时间:2018/9/11 10:20:51

6SL3130-7TE28-0AA3,哈尔滨工控机

更新日期:2024/6/3 10:11:03

所 在 地:中国大陆

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6SL3130-7TE28-0AA3
DB1101A 集合型探测器底座100937416 可兼容 Sinteso 系列
FDL241-9-CN 线型光束感烟探测器100718395 可兼容 Sinteso 系列
FDLB291 线型光束感烟探测器底座100718396 可兼容 Sinteso 系列
DLR1192 三棱反射镜100220702 可兼容 Sinteso 系列
DLR1192 反射板100220702 可兼容 Sinteso 系列
DLR1193 反射板100208653 可兼容 Sinteso 系列
DLH1191A 三棱反射镜加热元件100215891 可兼容 Sinteso 系列
FDF241-9 红外火焰探测器100718391 可兼容 Sinteso 系列
6SL3130-7TE28-0AA3
*长15 ms
*长25 ms
输入特性 符合IEC 61131,类型2
2 线制BERO 的连接
? 允许的静态电流
支持
4 mA
数字量模块
3.7 数字量输入模块 SM 321; DI 16 x DC 24 V;(6ES7 321-1BH02-0AA0)
S7-300 模块数据
3-14 手册, 09/2005, A5E00432670-03
3.7 数字量输入模块 SM 321; DI 16 x DC 24 V;(6ES7 321-1BH02-0AA0)
订货号:“标准模块”
6ES7 321-1BH02-0AA0
6SL3130-7TE28-0AA3
过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米到3微米。 
  90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。 
6SL3130-7TE28-0AA3

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