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产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点：
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
开启式真空管式炉技术参数
石英管尺寸L1400mm Φ（60、80、100）
加热元件掺钼铁铬铝合金电阻丝
测温元件K型热电偶
加热区长度410mm
恒温区长度200mm
工作温度≤1100℃
控温模式模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能
控温精度±1℃
升温速率≤20℃/min
电功率AC220V/50HZ/3KW
质量供气系统技术参数
外形尺寸600x600x600mm
标准量程50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
数显压力表测量范围-0.1Mpa～0.15Mpa
极限压力3MPa
针阀316不锈钢
截止阀Φ6mm 316不锈钢针阀
电功率AC220V/50HZ/20W
响应时间气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
准确度±1.5%
线性±0.5～1.5%
重复精度±0.2%
接口Φ6,1/4＇＇
真空系统技术参数
外型尺寸600×600×600mm
工作电电压220V±10% 50~60HZ
功率400W
抽气速率4L\s
极限真空4X10-2Pa
实验真空度1.0X10-1Pa
容油量1.1L
进气口口径KF25
排气口口径KF25
转速1450rpm
射频电源
信号频率13.56 MHz±0.005%
功率输出范围5-300W 5W-500W可选
反射功率200W
射频输出接口50 Ω, N-type, female
功率稳定度±0.1%
谐波分量≤-50dbc
供电电压单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ
整机效率>=70%
功率因素>=90%
冷却方式强制风冷
