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TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
产品简介:此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点:
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相;
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量;
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率;
4、能广泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
开启式真空管式炉技术参数
石英管尺寸L1400mm Φ(60、80、100)
加热元件掺钼铁铬铝合金电阻丝
测温元件K型热电偶
加热区长度410mm
恒温区长度200mm
工作温度≤1100℃
控温模式模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能
控温精度±1℃
升温速率≤20℃/min
电功率AC220V/50HZ/3KW
质量供气系统技术参数