产品展示
优质供应
详细内容
特点：
■ 内置有源功率因数校正
■ 电感电流临界连续模式
■ 高性能的线电压调整率和负载调整率
■ ±3%输出电流精度
■ 内置500V功率MOSFET
■ 启动电流
■ 高达95%的系统效率
■ LED开路/短路保护
■ 电流采样电阻开路保护
■ 逐周期原边电流限流
■ 芯片供电过压/欠压保护
■ 自动重启功能
■ 过热调节功能
■ 采用SOP-8封装
典型应用
极限参数
| 符号 | 名称 | 参数范围 | 单位 |
| VDS | 内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压 | -0.3~500 | V |
| IDD_MAX | VDD引脚钳位电流 | 10 | mA |
| COMP | 环路补偿点 | -0.3~6 | V |
| INV | 辅助绕组的反馈端 | -0.3~6 | V |
| SEN | 电流采样端 | -0.3~6 | V |
| PDMAX | 功耗(注2) | 0.45 | W |
| θJA | PN结到环境的热阻 | 145 | ℃/W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 to 150 | ℃ |
| TSTG | 储存温度范围 | -55 to 150 | ℃ |
| ESD (注3) | 2 | KV |
应用信息
启动
系统上电后，经过整流后的电压通过启动电阻给 VDD 引脚的电容充电，当 VDD 电压上升到启动阈值电压
后，芯片内部控制电路开始工作，COMP电压被上拉到1.7V，M8915开始输出脉冲信号，COMP电压从1.7V开始逐渐上升，原边峰值电流随之上升，从而实现输出 LED 电流的软启动，有效防止输出电流过冲。当输出电压建立之后，VDD通过二极管供电，从而降低系统功耗。
反馈网络
M8915通过INV来检测输出电流过零的状态。INV引脚也可以用来探测输出过压保护(OVP)，阈值为1.6V。INV的上下分压电阻比例可以设置为：
其中，RINVL：反馈网络的下分压电阻
RINVH：反馈网络的上分压电阻
其中，RINVL：反馈网络的下分压电阻
RINVH：反馈网络的上分压电阻
VOVP_INV：输出电压过压保护设定点
推荐INV下分压电阻可以设置在5KΩ－－10 KΩ左右
保护功能
M8915内置多重保护功能，保障了系统可靠性。 LED开路时，输出电压逐渐上升，INV引脚在功率管关断时检测到输出电压，当INV电压升高到OVP阈值时，触发保护逻辑并停止开关工作。
当LED短路时，系统工作在10kHz低频。由于输出电压很低，无法通过二极管给VDD供电，所以VDD电压逐渐下降直到欠压保护阈值。系统进入保护状态后，VDD电压开始下降，当VDD到达欠压保护阈值时，系统将重启。同时系统不断的检测系统状态，当故障解除，系统会重新开始工作。
当输出短路或者电感饱和时，SEN峰值电压将会比较高。当SEN电压上升到内部限制值(1V)时，该开关周期马上停止。此逐周期限流功能可以保护功率MOS管、功率电感器和输出续流二极管。
过温调节功能
M8915具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使电源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度点为150℃。
PCB设计注意事项
旁路电容VDD的旁路电容需要紧靠芯片VDD和GND引脚。地线电流采样电阻的功率地线尽可能粗，且要离芯片的地(Pin2)尽量近，以保证电流采样的准确性，否则可能会影响输出电流的调整率。
另外，信号地需要单独连接到芯片的地引脚。功率环路的面积减小大电流环路的面积，如功率电感、功率管及输入电容的环路面积，以及功率电感、续流二极管、输出电容的环路面积，以减小EMI 辐射。
INV引脚接到INV的分压电阻必须靠近INV引脚，且节点要远离功率电感的动点(DRAIN 引脚走线)，否则系统噪声容易误触发INV OVP保护功能。
DRAIN引脚 适当增加DRAIN引脚的铺铜面积以提高芯片散热。
深圳市茂捷半导体有限公司
网站：http://www.mojay.com.cn
咨询电话：
QQ:752074165
