博恩斯坦Bernstein感应传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。
压阻式
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用zui为普遍。
热电阻
博恩斯坦Bernstein热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。
传感器
传感器热电阻大都由纯金属材料制成，目前应用zui多的是铂和铜，此外，已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
热电阻传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。在温度检测精度要求比较高的场合，这种传感器比较适用。较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等，它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于测量-200℃～+500℃范围内的温度。
博恩斯坦Bernstein感应传感器型号

601.2921.090 D-32457 SRM-UIZ/UIZ-LU-175-E行程开关
601.2431.883 BCS 16A/500VAC感应传感器
6316318002 MAM-1813-L-1 Operating voltage: 125DVC接近开关
博恩斯坦Bernstein601.1411.856 SD-U1感应传感器
ENM-SUIZ AHS-V 10A/500VAC集线控制器
F1-SU2Z UN脚踏开关BERNSTEIN传感器6011411856
KIB-M18PS/005-KL6V光电开关
6013812075; SI-U1Z继电器
SLM-FVTW24DC-51-AR限位开关
NR 6087387019自动控制器
6012441907开关
KCN-T18PS/012-KLPS12V接近开关
F1-U1Z NA2 UN 6061600435接近开关
F1-SU1Z/UV1ZD UN 6161000203接近开关
F2-SU1Z/SU1Z UN 6062830022接近开关
6063611026 F3-U1Z/U1Z/U1Z UN接近开关
631.0432.598接近开关
F1-U2ZD 6061200007接近开关
F1-SU1 MI RG 10K2W 6161300327接近开关
F1-SU1Z UN 6061800012接近开关
BERNSTEIN传感器6011411856
2696899015感应传感器
2690000006感应传感器
2600444076感应传感器
SKT-U1Z M3 SKT-SU1Z M3 SKT-A2Z M3 SKT-SA2Z M3
SKI-U1Z M3 SKI-SU1Z M3 SKI-A2Z M3 SKI-UV15Z M3
ENK-U1Z VTU ENK-A2Z VTU ENK-UV15Z VTU