应用于Lift-off工艺图形，反转正/负可变型光刻胶，特别为Lift-off工艺优化
特征：
1、适用于高分辨率工艺（Lift-off工艺）
2、适用于正/负图形
3、很宽的膜厚范围
参考工艺条件：

前烘：100℃ 60秒（DHP）
曝光：I线步进式曝光机/接触式曝光机
翻转烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒
全面曝光：310~405nm（在曝光光源下全面照射）
显影：23℃ 60秒
清洗：去离子水30秒
后烘：120℃ 120秒（DHP）
剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化