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特征:
◇峰值脉冲功率400W(8 /20μs);
◇低电压TVS二极管阵列,用于ESD和闭锁保护;
◇SO-8封装;
◇符合RoHS;
◇无铅;
◇保护四线;
◇符合IEC61000 -4-2 Level4级:接触放电>12kV,空气放电>17kV。
应用:
◇10/100/1000以太网;
◇基站;
◇模拟输入;
◇交换系统;
◇广域网/局域网设备;
◇激光二极管保护;
◇台式机,服务器,笔记本和手持设备。
2、KRESD0522P
KRESD0522P对应RCLAMP0542T ,RCIAMP0522P。
特征:
◇峰值脉冲功率150W(8/20μS);
◇超低电容ESD保护;
◇容值0.4PF;
◇封装DFN1.6x1.0-6L;
◇符合RoHS;
◇无铅;
◇保护两个高速数据线路;
◇符合IEC61000 -4-2 Level4级:接触放电>12kV,空气放电>17kV。
应用:
◇PCI Express接口;
◇MIDI端口;
◇eSATA接口;
◇DisplayPort接口;
◇数字视频接口(DVI);
◇高清晰度多媒体接口(HDMI)。
3、KR905P
KR905P代替WPM1481,FDMA905P----封装DFN2X2-6L,P沟道。
特征、相关参数:
VDS = -12V,VGS=±8,ID = -15A
RDS(ON) <15mΩ @ VGS=-4.5V ;
RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-2.5V ;
RDS(ON) <45mΩ @ VGS=-1.8V ;
RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-1.5V 。
Asvanced trench MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge New Thermally Enhanced DFN2X2-6L Package
Application:
PWM applications Load switch battery charge in cellular handset
4、KR4606
KR4606代替AO4606,ME4542,---封装SOP8,N+P沟道。
相关参数:
N-Channel:VDS=30V,VGS=±20V,ID=7.1A;
P-Channel:VDS=-30V,VGS=±20V,ID=-6A;
RDS(ON)≦25mΩ@VGS=10V (N-Ch)
RDS(ON)≦40mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)
RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-10V (P-Ch)
RDS(ON)≦58mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)
应用:
电源管理;
DC/DC Converter;
LCD TV & Monitor Display inverter;
CCFL inverter;
LCD Display inverter。
5、KRESD05-4:
KRESD05-4对应WE05-4RVLCH、ESDA6V8UF、SRV05-4LC-T7、SFI05-4RVLC。
特征:
◇峰值脉冲功率150W(8/20μS);
◇低电容ESD保护;
◇容值0.5PF;
◇SOT23-6封装;
◇符合RoHS;
◇无铅;
◇保护四个高速数据线路和Vcc;
◇符合IEC61000-4-2 Level 4:接触放电>13kV,空气放电>18kV。
应用:
◇SIM端口;
◇ATM接口;
◇以太网个10/100/1000 BaseT;
◇笔记本电脑;
◇视频线路保护;
◇数字视频接口(DVI);
◇IEEE 1394端口Firewires;
◇USB 2.0电源和数据线保护;
◇显示器和平板显示器。