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InGaAs盖革模式雪崩光电二管 光谱响应范围0.9-1.7μm

价格:¥电议

品牌名称:$brandModel.Title(进口品牌)型号:IGA-APD-GM104-R 原产地:中国大陆 发布时间:2022/6/20 16:36:00更新时间:2024/12/17 17:25:46

产品摘要:光谱响应范围0.9~1.7μm;响应度 @1550nm: 0.85 A/W; 3针TO46 封装;SMF-28E 光纤耦合;FC/APC, 不带 TCE

产品完善度: 访问次数:161

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详细内容

 

InGaAs盖革模式雪崩光电二管 (非制冷型)



总览

InGaAs 雪崩光电二管(APD)是短波近红外单 光子检测的用器件,可满足量子通信、弱光探测等 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。


 
光谱响应
900-1700nm 
 
响应度
@1550nm 0.85 A/W 
 
技术参数

线性模式参数

产品型号

IGA-APD-GM104-R

参数

符号

单位

测试条件

典型

反向击穿电压

VBR

V

22±3 ID =10μA

60

80

90

响应度

Re

A/W

22±3 ,λ =1550nm M =1

0.8

0.85

 

暗电流

ID

nA

22±3 M =10

 

0.1

0.3

电容

C

pF

22±3 M =10 f=1MHz

   

0.25

击穿电压温度 系数

η

V/K

-40 ~80℃,ID =10μA

   

0.15

 

盖革模式参数

 

参数

单位

测试条件

典型

单光子探测效 率PDE

%

-45 λ =1550nm 0.1ph/pulse

泊松分布单光子源

20

   

暗计数率DCR

kHz

-45℃ ,1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%

   

 

20*

后脉冲概率 APP

 

-45℃ ,1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%

   

 

1× 10-3

时间抖动Tj

ps

-45℃ ,1ns 门 宽 ,2MHz门控重频,PDE=20%

   

100

* 可提供不同等规格产品

 
产品特点

● 光谱响应范围0.9~1.7μm 

● 高探测效率、低暗计数率 

● 3 pin TO46

尺寸规格

TO46 (尾纤封装)

APD1.png

产品应用

● 弱光探测

● 量子保密通信 

● 生物医疗


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