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铟镓砷 InGaAs 光电二管探测器 2.2um扩展型

GAP3000/2.2 铟镓砷 InGaAs 光电二管探测器 2.2um扩展型

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价格：￥电议

型号：GAP3000/2.2 原产地：中国大陆发布时间：2022/6/20 16:49:16更新时间：2024/12/17 17:25:46

产品摘要：峰值波长（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波长 (50%): 2.2 ± 0.1um 响应度@ λP(min/typ)：0.9/1.0A/W 有效直径：3mm

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详细内容

铟镓砷 InGaAs 光电二管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2

总览

2.2um扩展型InGaAs光电二管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻，并在带宽范围内具有出色的响应度。

光谱响应

2.2um

感光规格

3mm Ø

截止波长

2.2±0.1um

材质

铟镓砷 InGaAs

带宽(Hz)

300 kHz-１MHz

技术参数

产品特点：

有效直径2mm,3 mm可选

扩展的截止波长2.2μm

高分流电阻

封装形式TO-5

产品应用：

气体检测

碳氢化合物传感

红外光谱

光谱学

SWIR光电探测

技术参数：

电学参数@ 23 ºC ± 2 ºC

参数	GAP2000/2.2	GAP3000/2.2	单位
有效直径	2	3	mm
峰值波长（典型）	2.0 ± 0.1	2.0 ± 0.1	um
截止波长 (50%)	2.2 ± 0.1	2.2 ± 0.1	µm
响应度@ λP(min/typ)	0.9/1.0	0.9/1.0	A/W
分流电阻 (min/typ)	6k/10k	2k/6k	Ω
暗电流(max)	40 @ 1 V	100 @ 1 V	µA
电容 (typ) @ 0 V	4000	8000	pF
带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)	0.795	0.397	MHz
上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)	440	881	ns
NEP @ λPEAK (typ)	128 x 10-14	287 x 10-14	W/Hz1/2
线性度 (± 0.2 dB @ 0 V)	6	6	dBm
封装	TO-5	TO-5

大参数

参数	GAP2000/2.2	GAP3000/2.2	单位
存储温度	-40 to 125	-40 to 125	℃
工作温度	-40 to 85	-40 to 85	℃
反向电压	1	1	V
反向电流	10	10	mA
正向电流	10	10	mA
功耗	50	50	mW