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InGaAs盖革模式雪崩光电二管光谱响应0.9-1.7μm

IGA-APD-GM104-R-TEC InGaAs盖革模式雪崩光电二管光谱响应0.9-1.7μm

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价格：￥电议

型号：IGA-APD-GM104-R-TEC 原产地：中国大陆发布时间：2022/6/20 18:17:13更新时间：2024/12/17 17:25:46

产品摘要：光谱响应范围0.9~1.7μm；响应度 @1550nm: 0.85 A/W; 6针TO8 封装；SMF-28E 光纤耦合；FC/APC, 带 TCE

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详细内容

InGaAs盖革模式雪崩光电二管（内置TEC制冷型）

总览

InGaAs 雪崩光电二管（APD）是短波近红外单光子检测的用器件，可满足量子通信、弱光探测等域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

光谱响应

900-1700nm

响应度

@1550nm 0.85 A/W

技术参数

线性模式参数

产品型号				IGA-APD-GM104-TEC
参数	符号	单位	测试条件	小	典型	大
反向击穿电压	VBR	V	22℃±3℃ ，ID =10μA	60	80	90
响应度	Re	A/W	22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1	0.8	0.85
暗电流	ID	nA	22℃±3℃，M =10		0.1	0.3
电容	C	pF	22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz			0.25
击穿电压温度系数	η	V/K	-40℃ ~80℃，ID =10μA			0.15

盖革模式参数

参数	单位	测试条件	小	典型	大
单光子探测效率 PDE	%	-45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源	20
暗计数率 DCR	kHz	-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%			20*
后脉冲概率 APP		-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%			1× 10-3
时间抖动Tj	ps	-45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20%			100