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Ge锗超大光敏PIN光电二管 800-1800nm 直径10mm
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详细内容
Ge 锗 超大光敏PIN光电二管(800-1800nm 直径 10mm)
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二管。我们有高速硅光电二管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二管的1800 nm。双波段光电二管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二管产品线,我们提供已安装的光电二管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器放置聚焦透镜或者针孔。
产品特点
● 小光敏面大光敏面可选 (100µm to 25mm)
● 800nm to 1800nm 光谱响应
● 高线性 > 10 dBm
● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)
● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)
引脚定义
产品应用
● 激光功率计
● LED/LD老化诊断
● 光谱学
● LED/LD特性
● 眼睛安全激光检测传感器
产品规格 | |
探测材料 | Ge |
响应波长 | 800 - 1800 nm |
峰值波长 | 1550 nm (Typ.) |
响应度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直径 | 78.5 mm2 (Ø10mm) |
上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V) | 500 ns / 500 ns (Typ.) |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗电流 (5 V) | 60 µA (Max.) |
电容(10 V) | 1800 pF (Max.) |
分流电阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封装形式 | TO-8 |
大额定值 | |
大击穿打压 | 10 V |
操作温度 | -55 to 60 °C |
存储温度 | -55 to 60 °C |
备注:1、典型值;RL = 50 Ω,除非另有说明
2、NEP在光伏模式下
光谱响应曲线:
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