	MCML-110A	MCML-120A
Wavelength 波长	365nm	365nm
Max. frame 大帧	100mm x 100mm	100mm x 100mm
Resolution 分辨率	1.0um	500nm
Grayscale lithography 灰度光刻	64 levels	128 levels
Max exposure 大曝光量	500mJ/cm2	2000mJ/cm2
Alignment accuracy 对准精度	<200nm	<100nm
field curvature 场曲率	< 1 um	< 1 um
Speed 速度	5mm2 /sec	2.5mm2 /sec
Input file 输入文件	BMP, GDSII	BMP, GDSII
Z level accuracy Z精度	<1 um	<1 um
Environment 环境	20~25℃	20~25℃

样品

（SU8-2002, 2um胶厚，2寸硅基底）

总览

产品特点

采用数字微镜 (DMD) 的无掩膜扫描式光刻机，365nm波长

直接从数字图形生成光刻图案，免去制作掩模板的中间过程，支持直接读取GDSII和BMP文件

全自动化的对焦和套刻，易于使用

晶圆连续运动配合DMD动态曝光，无拼接问题。全幅面绝对定位精度0.1um

套刻精度： 0.2um

500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm大幅面（4~6寸晶圆），满幅面曝光时间5~30分钟

500um小线宽

可灰度曝光（128阶）

尺寸小巧，可配合用循环装置产生内部洁净空间

通用参数

应用

微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工

带有2.5D图案的微光学元件，衍射光器件制作

教学、科研

参数

	MCML-110A	MCML-120A
Wavelength 波长	365nm	365nm
Max. frame 大帧	100mm x 100mm	100mm x 100mm
Resolution 分辨率	1.0um	500nm
Grayscale lithography 灰度光刻	64 levels	128 levels
Max exposure 大曝光量	500mJ/cm2	2000mJ/cm2
Alignment accuracy 对准精度	<200nm	<100nm
field curvature 场曲率	< 1 um	< 1 um
Speed 速度	5mm2 /sec	2.5mm2 /sec
Input file 输入文件	BMP, GDSII	BMP, GDSII
Z level accuracy Z精度	<1 um	<1 um
Environment 环境	20~25℃	20~25℃

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（SU8-2002, 2um胶厚，2寸硅基底）

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热门标签：筱晓光子 无掩膜数字光刻机 数字光刻机

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无掩膜数字光刻机波长365nm 分辨率1.0um 灰度光刻64levels

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