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innolume 超辐射发光二极管 SLD 780-1310nm
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Superluminescent Diodes (SLD) 超辐射发光二极管 是介于激光器(LD)和发光二极管(LED)之间的一种半导体光电器件,与激光二极管类似,超辐射发光二极管基于电驱动pn结,当正向偏置时,该pn结具有光学活性,并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计为对沿着波导产生的自发发射具有高的单程放大,但与激光二极管不同,反馈不足以实现激光作用。这是通过倾斜波导和防反射涂层刻面的共同作用非常成功地获得的。
SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白色光源。这种特性主要反映在光源的低时间相干性上(这是发射的光波随时间保持相位的有限能力)。然而,SLD可能表现出高度的空间相干性,这意味着它们可以耦合到单模光纤中。一些应用利用SLD源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是一个经常用来表征光源的时间相干的量。它与光学干涉仪两臂之间的路径差有关,在该干涉仪上光波仍然能够产生干涉图案。
一方面,SLD是经过优化以产生大量放大自发发射(ASE)的半导体器件。为了做到这一点,它们结合了高功率增益部分,其中以30dB或更高的高增益因子放大种子自发发射。另一方面,SLD缺乏光学反馈,因此不可能发生激光作用。通过使小面相对于波导倾斜来抑制从光学部件(例如连接器)到腔中的光的背反射产生的光学反馈,并且可以通过抗反射涂层来进一步抑制。避免了共振器模式的形成,从而避免了光谱中明显的结构和/或光谱变窄。