MOOG 伺服阀 MOOG761-0030.530903386新闻动态MOOG 伺服阀 MOOG761-中海德（福建）工业设备有限公司

联系人：陈小真 

热 线：0591-83566917

手 机：18005006971

传真：0591-83489960(陈小真收)  

QQ: 2851617312

邮箱：2851617312@qq.com

地址：福建福州

迪普马DS3型阀

安装尺寸：CETOP 03

压力等级：350 bar

工作流量：100 l/min

常用型号：

DS3-RK/10N-A230K1

DS3-RK/10N-D24K1 

DS3-RK/10N-D110K1 

DS3-S1/10N-A230K1

DS3-S1/10N-A110K1

DS3-S1/10N-A24K1

DS3-S1/10N-D24K1

DS3-S2/10N-A230K1

DS3-S2/10N-A110K1

DS3-S2/10N-A24K1

DS3-S2/10N-D24K1

DS3-S3/10N-A230K1

DS3-S3/10N-A110K1

DS3-S3/10N-A24K1

DS3-S3/10N-D24K1

DS3-S4/10N-A230K1

DS3-S4/10N-A110K1

DS3-S4/10N-A24K1

DS3-S4/10N-D24K1

PVA35MQ/30

流量控制阀 流量控制阀 RPC1-22/CT/41

流量控制阀 流量控制阀 RPC1-22/T3/M/41

流量控制阀 流量控制阀 RPC1-4/T3/M/41

流量控制阀 流量控制阀 RPC1-16/CT/41

流量控制阀 流量控制阀 RPC2-TS/31

单向节流阀 流量控制阀 RS6/30

电磁方向阀 方向控制阀 MDD44-TA/50-24V-CC

插装式单向阀 方向控制阀 VR2-I1/32

电磁方向阀 方向控制阀 DS3-RSB1/10N-D24K1

电磁方向阀 方向控制阀 DS3-RK1/11N-D24K1

单向阀 单向阀 VD5-W1/30

叠加式溢流阀 压力控制阀 MRQ4-SP/51

叠加式溢流阀 压力控制阀 MRQ4-SP/M1/51

叠加式溢流阀 压力控制阀 MRQ6-SP/51

叠加式溢流阀 压力控制阀 MRQ6-SP/M1/51

减压阀 压力控制阀 MZD4/A/50

减压阀 压力控制阀 MZD4/B/50

减压阀 压力控制阀 MZD4/RA/50

减压阀 压力控制阀 MZD4/RB/50

减压阀 压力控制阀 MZD4/RP/50

减压阀 压力控制阀 MZD5/A/50

017-511066 RT 110 PRESSURE CONTROL

017-528366 RT 110 PRESSURE CONTROL

017-529166 RT 110 PRESSURE CONTROL

017-529266 RT 110 PRESSURE CONTROL

017-530066 RT110 PRESSOSTAT

017L001566 RT110L,0,2-3bar

017-140366 RT110 PRESSOSTAT

017-140266 RT 112 PRESSURE CONTROLS/IP

017-141566 RT 112 PRESSURE CONTROLS/IP

017-518466 RT 112 PRESSURE CONTROL

017-518566 RT112E PRESSOSTAT EEx ia IIC T5

017-519166 RT 112 PRESSURE CONTROL

017-519266 RT112,0,1-1,1bar,max reset

017-519366 RT 112 PRESSURE CONTROL

017-528266 RT 112W PRESSURE CONTROL

017-519766 RT112,0,1-1,1bar

017-519666 RT 113 PRESSURE CONTROL

017-519566 RT113E PRESSOSTAT EEx ia IIC T5

017-140166 RT116 PRESSOSTAT, 1 - 10 bar Pe

017-140666 RT116 PRESSOSTAT, 1 - 10 bar Pe

017-141166 RT116 PRESSOSTAT

017-141666 RT 116 PRESSURE CONTROL/IP

017-519966 RT116,1-10bar,min reset

017-520066 RT 116 PRESSURE CONTROL

017-520166 RT116E PRESSOSTAT EEx ia IIC T5

017-520366 RT 116 PRESSURE CONTROL

017-520466 RT 116 PRESSURE CONTROL

017-140466 RT 117 PRESSURE CONTROLS/IP

017-141766 RT 117 PRESSURE CONTROLS/IP

017-529566 RT 117 PRESSURE CONTROL

017-529666 RT 117 PRESSURE CONTROL

017-529866 RT117E PRESSOSTAT EEx ia IIC T5

017L004266 RT117L,10-30bar

017-521566 RT121,-1-0bar

017-140766 RT121 PRESSOSTAT, -1 - 0 bar Pe

017-141866 RT121 PRESSOSTAT,-1 - 0 bar PePe

图3 MEMS磁传感器主要部分的顶视图和4个压敏电阻组成的惠斯登电桥

Langfelder等制备了具有电容读出的MEMS磁场传感器，该传感器可检测与谐振结构表面垂直方向（z轴） 的磁场。它由一组固定定子和两根细梁悬挂的梭子组成，形成2个差分平行板敏感电容器C1和C2，见图4。具有传感器共振频率的梁，在通有电流时与磁场相互作用，从而使2个细梁受到洛伦兹力作用。这个力垂直于磁场和交流电流所构成的平面，导致梁和平行板产生位移，该位移可以通过差分电容的变化来检测。传感器在峰值驱动电流为250 μA时的总灵敏度为150 μV·μT^（-1）、理论噪声为557. 2 μV·Hz^（-1/2）、分辨率为520 nT·mA^（-1）·Hz^（-1/2）、品质因子约328、共振频率为28.3 kHz。

M. Li等设计了由弯曲梁谐振器（1200 μm x 680 μm x 40 μm）组成的磁场传感器。弯曲梁谐振器与载有电流的Si梁通过微杠杆机制耦合，谐振器借助弯曲梁的每一侧的30个叉指电极实现静电驱动和电容感应，获得传感器的灵敏度为6687 ppm·mA^（-1）·T^（-1）、品质因子为540、谐振频率为21.9 kHz （1 ppm = 10^（-6）） 。

Aditi等通过采用SOI和玻璃片的阳极键合技术制备了MEMS磁场传感器。该器件制作工艺具有以下优点：低温（≤400 ℃） 、可靠、可重复、少的光刻步骤及可控电极间距离的能力。获得传感器功耗为0.45 mW，分辨率为215 nT·Hz^（-1/2）。

B. Park等设计了由硅谐振器和紧凑型激光定位系统构成的磁场传感器，如图5所示。该系统具有光电探测器和激光二极管，用于监测电流偏置的反射镜角位移。谐振器由涂覆有铝层（2500 μm x 2500 μm x 0.8 μm）的硅膜（3000 μm x 3000 μm x 12 μm）组成，膜由两根扭转弹簧（2100 μm x 100 μm x 12 μm）支撑，宽度为30 μm、厚度为0. 8 μm的铝线沉积在其上。施加的磁场与反向镜的位移有关，当线圈偏置电流为50 mA时，获得传感器的灵敏度为62 mV·μT^（-1）、共振频率为364 Hz、品质因子为116、53 mHz带宽的分辨率为0.4 nT、本底噪声为1.78 nT·Hz^（-1/2）。

0030.530903386新闻动态