ABB主驱动器;3HAC029818-001新闻快讯
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ABB主驱动器;3HAC029818-001新闻快讯
ABB主驱动器;3HAC029818-001新闻快讯M. Li等设计了由弯曲梁谐振器(1200 μm x 680 μm x 40 μm)组成的磁场传感器。弯曲梁谐振器与载有电流的Si梁通过微杠杆机制耦合,谐振器借助弯曲梁的每一侧的30个叉指电极实现静电驱动和电容感应,获得传感器的灵敏度为6687 ppm·mA^(-1)·T^(-1)、品质因子为540、谐振频率为21.9 kHz (1 ppm = 10^(-6)) 。
Aditi等通过采用SOI和玻璃片的阳极键合技术制备了MEMS磁场传感器。该器件制作工艺具有以下优点:低温(≤400 ℃) 、可靠、可重复、少的光刻步骤及可控电极间距离的能力。获得传感器功耗为0.45 mW,分辨率为215 nT·Hz^(-1/2)。
B. Park等设计了由硅谐振器和紧凑型激光定位系统构成的磁场传感器,如图5所示。该系统具有光电探测器和激光二极管,用于监测电流偏置的反射镜角位移。谐振器由涂覆有铝层(2500 μm x 2500 μm x 0.8 μm)的硅膜(3000 μm x 3000 μm x 12 μm)组成,膜由两根扭转弹簧(2100 μm x 100 μm x 12 μm)支撑,宽度为30 μm、厚度为0. 8 μm的铝线沉积在其上。施加的磁场与反向镜的位移有关,当线圈偏置电流为50 mA时,获得传感器的灵敏度为62 mV·μT^(-1)、共振频率为364 Hz、品质因子为116、53 mHz带宽的分辨率为0.4 nT、本底噪声为1.78 nT·Hz^(-1/2)。
图5 具有光读出的MEMS磁场传感器和传感器工作原理图
M. Lara-Castro等提出在印刷电路板上实现的MEMS磁场传感器的便携式信号调制系统,它配有能够谐磁场传感器的2个正弦信号发生器。磁场传感器由共振硅结构(600 μm x 700 μm x 5 μm) 、1个铝环(1 μm厚)和4个p型压敏电阻组成的惠斯登电桥构成。2个信号发生器的频率稳定度为±100 ppm,分辨率为1 Hz。该系统中,磁场与电压有近似线性关系;大气压下灵敏度和分辨率分别为0.32 V/T和35 nT。
龙亮等采用MEMS磁扭摆和检测差分电容构成了MEMS磁传感器。磁扭摆是通过在双端固定梁的硅薄膜上制作CoNiMnP永磁薄膜获得,磁传感器尺寸为3.7 mm x 2.7 mm x 0.5 mm,制备的MEMS磁传感器具有良好的线性,灵敏度为27.7 fF/mT,*小可分辨磁场大小为36 nT。
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