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卡件  EC24V-086362-001     086362-001新闻快讯M. Li等设计了由弯曲梁谐振器（1200 μm x 680 μm x 40 μm）组成的磁场传感器。弯曲梁谐振器与载有电流的Si梁通过微杠杆机制耦合，谐振器借助弯曲梁的每一侧的30个叉指电极实现静电驱动和电容感应，获得传感器的灵敏度为6687 ppm·mA^（-1）·T^（-1）、品质因子为540、谐振频率为21.9 kHz （1 ppm = 10^（-6）） 。

Aditi等通过采用SOI和玻璃片的阳极键合技术制备了MEMS磁场传感器。该器件制作工艺具有以下优点：低温（≤400 ℃） 、可靠、可重复、少的光刻步骤及可控电极间距离的能力。获得传感器功耗为0.45 mW，分辨率为215 nT·Hz^（-1/2）。

B. Park等设计了由硅谐振器和紧凑型激光定位系统构成的磁场传感器，如图5所示。该系统具有光电探测器和激光二极管，用于监测电流偏置的反射镜角位移。谐振器由涂覆有铝层（2500 μm x 2500 μm x 0.8 μm）的硅膜（3000 μm x 3000 μm x 12 μm）组成，膜由两根扭转弹簧（2100 μm x 100 μm x 12 μm）支撑，宽度为30 μm、厚度为0. 8 μm的铝线沉积在其上。施加的磁场与反向镜的位移有关，当线圈偏置电流为50 mA时，获得传感器的灵敏度为62 mV·μT^（-1）、共振频率为364 Hz、品质因子为116、53 mHz带宽的分辨率为0.4 nT、本底噪声为1.78 nT·Hz^（-1/2）。

 

图5 具有光读出的MEMS磁场传感器和传感器工作原理图

M. Lara-Castro等提出在印刷电路板上实现的MEMS磁场传感器的便携式信号调制系统，它配有能够谐磁场传感器的2个正弦信号发生器。磁场传感器由共振硅结构（600 μm x 700 μm x 5 μm） 、1个铝环（1 μm厚）和4个p型压敏电阻组成的惠斯登电桥构成。2个信号发生器的频率稳定度为±100 ppm，分辨率为1 Hz。该系统中，磁场与电压有近似线性关系；大气压下灵敏度和分辨率分别为0.32 V/T和35 nT。

龙亮等采用MEMS磁扭摆和检测差分电容构成了MEMS磁传感器。磁扭摆是通过在双端固定梁的硅薄膜上制作CoNiMnP永磁薄膜获得，磁传感器尺寸为3.7 mm x 2.7 mm x 0.5 mm，制备的MEMS磁传感器具有良好的线性，灵敏度为27.7 fF/mT，*小可分辨磁场大小为36 nT。

 

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