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等离子化学气相沉积系统
点击次数：327发布时间：2018/1/10 9:19:29
更新日期：2018/1/10 9:19:29
所 在 地：中国大陆
产品型号：TF1200-PECVD
优质供应
详细内容
产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点：
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
| 滑轨管式炉技术参数 | |||||
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| 石英管尺寸 | φ60*1500mm（管径*管长） | |||
| 加热元件 | 掺钼铁铬铝合金电阻丝 | ||||
| 测温元件 | N型热电偶 | ||||
| 加热区长度 | 440mm | ||||
| 恒温区长度 | 200mm | ||||
| 工作温度 | ≤1100℃ | ||||
| 控温模式 | 模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能 | ||||
| 控温精度 | ±1℃ | ||||
| 升温速率 | ≤20℃/min | ||||
| 电功率 | AC220V/50HZ/3KW | ||||
| 质量供气系统技术参数 | |||||
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| 外形尺寸 | 600x600x600mm | |||
| 标准量程 | 50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； | ||||
| 压力表测量范围 | -0.1Mpa～0.15Mpa | ||||
| 极限压力 | 3MPa | ||||
| 针阀 | 316不锈钢 | ||||
| 截止阀 | Φ6mm 316不锈钢针阀 | ||||
| 电功率 | AC220V/50HZ/20W | ||||
| 响应时间 | 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec | ||||
| 准确度 | ±1.5% | ||||
| 线性 | ±0.5～1.5% | ||||
| 重复精度 | ±0.2% | ||||
| 接口 | Φ6,1/4＇＇ | ||||
| 真空系统技术参数 | |||||
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| 外型尺寸 | 600×600×600mm | |||
| 工作电电压 | 220V±10% 50~60HZ | ||||
| 功率 | 400W | ||||
| 抽气速率 | 4L\s | ||||
| 极限真空 | 4X10-2Pa | ||||
| 实验真空度 | 1.0X10-1Pa | ||||
| 容油量 | 1.1L | ||||
| 进气口口径 | KF25 | ||||
| 排气口口径 | KF25 | ||||
| 转速 | 1450rpm | ||||
| 射频电源 | |||||
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| 信号频率 | 13.56 MHz±0.005% | |||
| 功率输出范围 | 3W-300W 5W-500W可选 | ||||
| 反射功率 | 200W | ||||
| 射频输出接口 | 50 Ω, N-type, female | ||||
| 功率稳定度 | ±0.1% | ||||
| 谐波分量 | ≤-50dbc | ||||
| 供电电压 | 单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ | ||||
| 整机效率 | >=70% | ||||
| 功率因素 | >=90% | ||||
| 冷却方式 | 强制风冷 | ||||
