德国Behlke 通用MOSFET Switch 高压开关

具有电流依赖导通时间的高压开关，晶闸管/ SCR

高压开关，用于放电应用，以及产生与快速高压FDA续流二极管相关的阻尼正弦振荡

● 高峰值电流能力

● 高的di/dt，但不影响可靠性和预期寿命，因为大量的单个SCR具有单独的栅极驱动

● 非常耐过载

●通过简单的TTL触发脉冲(2-5 V)轻松点火

● 非常紧凑，重量轻

●各种冷却选项

德国Behlke 通用MOSFET Switch 高压开关

这些开关在至少150%的工作电压下是隔离的，因此可以轻松实现开关应用。为了节省成本和体积，特别是在低端开关应用中(例如，撬棍电路)，所有BEHLKE晶闸管开关也可以采用可选的不对称隔离，例如正极为200 kV，负极为30 kV。通过为每个晶闸管开关型号定制隔离电压额定值，可以满足特殊的隔离电压要求，而不管其工作电压如何。“常规”隔离电压选项范围为40 kV至200 kV(可选。ISO-40、ISO-80、ISO-120、ISO-200)。可根据要求提供符合欧洲安全标准的“医疗证明”。在约4-8周的交货时间内，1到150 kV(交流/DC)之间的任何定制电压和1到100 kA之间的任何定制峰值电流都是可能的。如果定制交换机可以在现有平台上实现，我们不会收取额外费用。请咨询贝克。

为了并联连接几个晶闸管开关，它们配有同步I/O。如果一个开关由于故障条件(如过温)而关闭，该功能可确保同步触发并抑制其他开关模块的触发输入。由于强电磁场可能由开关的高di/dt能力引起，建议在所有情况下使用单独的控制单元(选项SEP-C) 大感应线圈面积。   这尤其适用于非常大的开关模块，如果di/dt为%3E 5 kA/ s对于中小型开关模块的应用，我们建议使用印刷电路板(*终采用多层技术)，以限度地降低杂散电感，并保持较小的感应环路面积。

使用印刷电路板的设计也保证了整个电子系统的可再现的EMC行为。在任何情况下，请确保负载圆与控制圆的距离适当，以避免磁反馈效应，否则内部安全电子设备将检测到故障情况，开关将被锁定2秒钟。每一枪之后。大多数开关通过红色LED指示这一点。

所有BEHLKE晶闸管开关均可选配接地冷却法兰(GCF选项)、镀镍铜散热片(CF选项)、石墨散热片(CF-GRA选项、陶瓷散热片(CF-CER选项)、水冷(ILC选项)、非导电冷却剂直接液体冷却(DLC选项)或陶瓷冷却表面(CSS选项)。

为了避免高压电位下散热片的电晕放电，我们建议在40 kV以上的电压下使用直接液体冷却(可选DLC)或陶瓷散热片(可选CF-CER)或水冷却(可选ILC)。

产品代码:型号包含有关电压、电流和开启行为的编码信息。前几个数字代表以kV为单位的电压，破折号前的*后一个数字表示导通行为(0 =固定导通时间，1 =可变导通时间)。破折号后的数字表示电流，单位为安培x10。特殊功能由第二个破折号后的字母编码。HTS 60-100-SCR示例:HTS =高压晶闸管开关，6 = 6 kV，0 =取决于固定导通时间的电流，100 = 1000安培，SCR =硅控整流器(晶闸管)。

BEHLKE:

HTS 240-48-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

HTS 240-104-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

HTS 241-30-SiC

Silicon Carbide Switch

Ursprungsland: DE

HTS 401-160-LC2

MOSFET Switch

FSWP 51-02 (NO)

Fast Square Wave Pulser No Options

GCF VI

Option Grounded Cooling Flange, Category VI

EXPRESS DE

Ursprungsland: DE

HTS 201-15-SiC

Silicon Carbide Switch

HTS 121-160-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 500-80

MOSFET Switch

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

具有可变导通时间、高电流的C6 - IGBT开关产品组      

1) HTS 61-160-FI，快速IGBT开关。可变导通时间200ns至无穷大。带控制连接引线(选项PT-C)。6千伏，1600安。Ip(值)下的开启上升时间%3C90纳秒。关闭上升时间%3C0.8 s。
2) HTS 101-120-SI标准IGBT开关。变量准时1秒到无穷大。10千伏，1200安峰值。开启上升时间%3C 150 ns @ Ip(值)。关闭上升时间%3C 5秒。
3) HTS 241-240-SI标准IGBT开关。可变导通时间200 ns至无穷大。带可选散热片(CF选项)和法兰外壳(FH选项)。24千伏，2400安峰值。上升时间%3C 150 ns @ Ip(值)。

具有可变导通时间、高电流的C7- MCT开关产品组

1)  HTS 61-300-MCT可变导通时间的晶闸管开关。6 kVDC，导通电流3 kA，关断电流100 A，导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5 s。

2)  HTS 101-300-MCT可变导通时间的晶闸管开关。10 kVDC，导通电流3 kA，关断电流100 A，导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5 s。

3)  HTS 181-300-MCT可变导通时间的晶闸管开关。18 kVDC，导通电流3 kA，关断电流100 A，导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5 s。

产品组B1-具有固定导通时间的通用MOSFET开关

1)      HTS 40-06，超快速MOSFET开关，采用标准塑料外壳。固定导通时间，ton=100ns (50 ns - 100 s可选)4 kV，60 A峰值，上升时间%3C 3 ns。
2)  HTS 150、MOSFET开关。固定导通时间，ton=150ns(可选100 ns - 100 s)。带高压尾纤(PT-HV)和高隔离电压(ISO-40)。15千伏，30安，tr %3C10ns。
3) HTS 300、MOSFET开关。固定导通时间，ton=200ns(可选100 ns - 100 s)。显示在标准塑料外壳中。30千伏，30安培，上升时间% 3C 10纳秒。

产品组B2 - MOSFET，固定导通时间，高di/dt和低阻抗

1)  HTS 60-16具有低杂散电感的快速放电开关。固定导通时间，ton = 150ns。6千伏，160安，tr %3C4ns @Ip(值)。交付时包括印刷电路板的插脚插座。

2)  HTS 80-16具有低杂散电感的快速放电开关。固定导通时间，ton = 150ns。8千伏，160安，tr %3C5ns @Ip(值)。交付时包括印刷电路板的插脚插座。

3) HTS 80-26具有低杂散电感的快速放电开关。固定导通时间，ton = 180ns。8千伏，260安，tr %3C5ns @Ip(值)。交付时包括印刷电路板的插脚插座。

汉达森*田*永*福

北京汉达森机械技术有限公司是一家专业从事欧洲工业产品进口贸易的公司。主要产品有工业自动化设备、机电设备、液压设备、电气设备和零部件等产品。公司总部于2007年在德国成立。公司自成立以来，一直以德国公司的身份为国内一些贸易商，设备商及终端客户提供产品代购服务。目前我们是德国、意大利、瑞典等数家工业设备生产商的中国区总代理；德国、意大利十几家工业设备企业的一级分销商。优势品牌超过八十个。与欧洲区两千个以上的供货商有业务往来。

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1 渠道广泛，国内有代理，或者有客户保护厂家不卖的产品，只要您能提供型号，我们同样可以从德国的分销商来采购。

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