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微波等离子去胶机 Alpha Plasma Q150
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产品数:1397
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详细内容
优势:
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Avoids resist popping after high-dose implant预处理可避免光刻胶在高剂量离子注入后破裂
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Soft removal of crust硬胶的轻柔去除
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Maximum temperature of 230°C温度为230摄氏度
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Slow temperature ramp – up温升慢
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High density of radicals高密度激发态原子团
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Shorter Process time工艺时间短
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Lowest self bias voltage, low damage的自偏压,低损伤
Q150 | Q235 | Q240 | |
样片尺寸 | 5" | 6" | 4", 5", 6", 8" |
腔室尺寸(mm) | φ150 x 260depth | φ235 x 260depth | φ240x 460depth |
处理能力 | 25x 5" | 25x 6" | 50x 6", 8" |
工艺压力(Pascal) | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
频率(GHz) | 2.45 | 2.45 | 2.45 |
功率(W) | 100-600 | 100-600 | 100-1200 |
控制方式 | 全自动运行 | 全自动运行 | 全自动运行 |
外形尺寸 | 500x370x550 | 590x460x550 | 760x775x775 |
主机重量(kg) | 40 | 70 | 120 |
泵重量(kg) | 32 | 32 | 83 |
总重量(kg) | 72 | 102 | 203 |
总功率 (kW) | 2.2 | 2.6 | 4.2 |
微波等离子去胶机-有效去除半导体/芯片/晶圆表面残胶
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德国原装进口Alpha Plasma微波等离子去胶系列Q150&Q235&Q
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000000000000000000000000000000产品优势:
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去胶快速干净
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对样片无损伤
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操作简单安全
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设计紧凑美观
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产品性价比高
应用域:
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高剂量离子注入光刻胶的去除
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湿法或干法刻蚀后残胶去除
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MEMS中牺牲层的去除
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去除化学残余物
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去浮渣工艺
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SU-8光刻胶去除