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AZ40XT&AZ10XT(520CP)光阻剂光聚合物粘着剂
价格：￥电议
品牌名称：$brandModel.Title(进口品牌)型号： 原产地：中国大陆 发布时间：2024/1/31 16:13:05更新时间：2024/11/15 8:10:21
产品摘要：成分含量99品名紫外光刻胶价格透明特点具有高深宽比，光刻后可以达到非常好的陡直度，基本垂 直于衬底表面。品质保障质量过硬服务业靠谱功能耐高温，紫外负性剥离光刻胶产品等优纯GR响应速度快工艺精湛公司保障实力雄厚
产品完善度： 访问次数：166
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详细内容
AZ®40 XT的应用始于15-30 µm，在这个厚度范围时，由于N2脱气和再水化延迟时间，使用常规正性光刻胶的光刻工艺变得非常耗时，而AZ®40 XT可以避免这个问题 。即使对于非常大的光刻胶膜厚度，AZ®40 XT也只需要很短的软烘烤时间，不会有再水化延迟，由于其化学放大作用，曝光剂量非常小，显影速度快。 因此，与传统的厚型光刻胶相比，AZ®40 XT的加工速度要快得多。
AZ®4500系列
具有佳粘附力的厚光刻胶
特点：
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：
l 优化对所有常见基材的附着力
l 宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺
l 与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）
l 与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）
l 对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
l 光刻胶厚度范围约 3-30微米
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：
若光刻胶膜厚度 30 µm？
通常，AZ®4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而，在该厚度范围内，软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外，如果涂得太厚，AZ®4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此，对于厚度大于30 µm的光刻胶膜厚度，强烈建议使用化学放大的AZ®40 XT光刻胶。
显影液——适用于AZ ® 4500光刻胶
如果可以使用含金属离子的显影液，可使用1：4稀释的KOH基AZ®400K作为显影液（对于更高的光刻胶膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀释浓度）。
如果必须使用不含金属离子的显影液，我们建议使用基于TMAH基的AZ®326 MIF，AZ®726 MIF或AZ®826 MIF显影剂（未稀释）。
去胶剂——适用于AZ ® 4500光刻胶
对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ®100作为去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联（例如，在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时，> 140°C的高温步骤时），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。
AZ®4500系列
具有佳粘附力的厚光刻胶
特点：
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：
l 优化对所有常见基材的附着力
l 宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺
l 与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）
l 与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）
l 对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
l 光刻胶厚度范围约 3-30微米
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：
| 光刻胶型号 | 光刻胶膜厚范围 | 包装规格 |
| AZ ® 4533 | 转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 µm。 | 多规格包装，如1L、2.5L等 |
| AZ ® 4562 | 转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 µm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 µm膜厚。 | 多规格包装，如1L、2.5L等 |
若光刻胶膜厚度 30 µm？
通常，AZ®4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而，在该厚度范围内，软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外，如果涂得太厚，AZ®4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此，对于厚度大于30 µm的光刻胶膜厚度，强烈建议使用化学放大的AZ®40 XT光刻胶。
显影液——适用于AZ ® 4500光刻胶
如果可以使用含金属离子的显影液，可使用1：4稀释的KOH基AZ®400K作为显影液（对于更高的光刻胶膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀释浓度）。
如果必须使用不含金属离子的显影液，我们建议使用基于TMAH基的AZ®326 MIF，AZ®726 MIF或AZ®826 MIF显影剂（未稀释）。
去胶剂——适用于AZ ® 4500光刻胶
对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ®100作为去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联（例如，在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时，> 140°C的高温步骤时），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。
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