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光刻胶及聚酰亚胺KMP E3100系列
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品牌名称：$brandModel.Title(进口品牌)型号： 原产地：中国大陆 发布时间：2024/3/21 9:51:04更新时间：2024/11/15 8:10:21
产品摘要：KMP E3100系列光刻胶是为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶，其采用酚醛树脂体系，与正胶工艺相容（可用正胶显影液进行显影）。E3100系列具有多个型号，膜厚范围为1.0-4.5um，可以满足不同工艺对倒梯角的需求，此外具有分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点，广泛用于IC/LED芯片制造过程中的Lift Off工艺。
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详细内容
KMP E3100系列
是为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶，其采用酚醛树脂体系，与正胶工艺相容（可用正胶显影液进行显影）。E3100系列具有多个型号，膜厚范围为1.0-4.5um，可以满足不同工艺对倒梯角的需求，此外具有分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点，广泛用于IC/LED芯片制造过程中的Lift Off工艺。
是为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶，其采用酚醛树脂体系，与正胶工艺相容（可用正胶显影液进行显影）。E3100系列具有多个型号，膜厚范围为1.0-4.5um，可以满足不同工艺对倒梯角的需求，此外具有分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点，广泛用于IC/LED芯片制造过程中的Lift Off工艺。| C7600 | R:0.30μm,Thickness range:7000A-12000A | 0.3um process |
| C7500 | R:0.4μm,Thickness range:7000A-12000A | 0.4μm process |
| C7510 | R:0.5μm,Thickness range:19000A-36000A | 0.5um process |
| C7310 | R:0.45μm,Thickness:13000A-15000A | 0.5μm process |
| C8315 | R:0.65μm,High heat resistance | 0.65μm process |
| C8325 | R:0.9μm,Thickness:14000A-23000A | 0.9μm process |
| C8350 | R:1.2μm,Thickness:20000A-35000A | Metal/Passivation |
| C5315 | R:0.65μm,Thickness:10000A-17000A | 0.65μm process |
| EP3200A | R:1.0μm,Thickness:20000-35000A | LED positive resist |
| C6111A1 | g-i line thick resist,Thickness:30000-50000A | Implant/Passivation |
| C6350A | g-i line thick resist,Thickness:40000-80000A | Passivation layer |
| C6230 | g-i line thick resist,Thickness:40000-80000A | Implant/Passivation |
| C6124A1 | g-i line thick resist,Thickness:<11μm | LED/Packaging |
| CP4800/CP4900 | For KOH ａnd TMAH base developer | Packaging/IGBT |
| C9005 | ICA PR,R:0.8μm,Thickness:3-8μm | RDL/TSV |
热门标签：C7600 C8315 EP3200A光刻胶
