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紫外宽谱光刻胶E3130A E3510
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品牌名称：$brandModel.Title(进口品牌)型号： 原产地：中国大陆 发布时间：2024/3/21 9:59:33更新时间：2024/12/11 8:54:11
产品摘要：KMP E3200系列光刻胶是为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶，相比E3100，其膜厚更厚，覆盖的范围为6.0-12.0um。其具有可调整的倒梯角度、分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点，广泛用于LED芯片制造过程中的Lift Off工艺，特别是LED高功率器件以及倒装工艺芯片制造过程。
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详细内容
| EN3120A1 | R:2μm@4μm,Thickness:4.5-9.5μm, High heat resistance | IC/LED |
| E3130A | Lift off negative resist,High resolution | IC/LED |
| E3260A2/S | R:5μm@8μm,<100mj/cm2,Thickness:6-12μm | IC/LED |
| E3502 | R:0.6μm@2.4μm,Thickness:2-4μm,Easy strip | IC/LED |
| E3510 | R:6μm@14μm,Thickness:5-20μm,Easy strip | IC/LED |
| E3175/B | R:2.0μm@3.8μm,Small undercut,Thickness:2-4μm | IC/LED |
| BN310 | 高分辨负胶 | 分立器件 |
| BN303 | 通用型负胶 | 分立器件 |
| BN308 | 高抗蚀负胶 | 分立器件 |
| C6111A1 | g-i line thick resist,Thickness:30000-50000A | Implant/Passivation |
| C6350A | g-i line thick resist,Thickness:40000-80000A | Passivation layer |
| C6230 | g-i line thick resist,Thickness:40000-80000A | Implant/Passivation |
| C6124A1 | g-i line thick resist,Thickness:<11μm | LED/Packaging |
| CP4800/CP4900 | For KOH ａnd TMAH base developer | Packaging/IGBT |
| C9005 | ICA PR,R:0.8μm,Thickness:3-8μm | RDL/TSV |
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