适于集成电路制造中的掩膜加工。高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中，AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化，而新研制的一种光刻胶；性能和AR-P 3500相似，同时还具备了良好的耐等离子刻蚀性能，以及大的工艺宽容度。

AR-P 3500，AR-P 3500T 通用型光刻胶

适于集成电路制造中的掩膜加工。高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中，AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化，而新研制的一种光刻胶；性能和AR-P 3500相似，同时还具备了良好的耐等离子刻蚀性能，以及大的工艺宽容度。000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000
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AR-P 3700/3800 高分辨率光刻胶

可用于制作亚微米结构，如高集成电路等。甩胶层表面平整均匀，高敏感度，高对比，良好的结构稳定性，工艺要求范围宽。AR-P 3840为染色的光刻胶，可以降低驻波和散射等的影响。

AR-P 5300 单层Lift-Off工艺用胶

Lift-off工艺用胶，利用普通的光刻工艺便可很容易得进行剥离工艺。高敏感、高分辨率，且与金属和氧化物表面附着良好。

2. 图形反转胶

AR-U 4000 图形反转胶

通过调整工艺参数可实现正胶或负胶性能。图形反转工艺后，光刻胶呈现负胶性能，可以得到非常明星的倒梯形结果，用于lift-off工艺。

3.负胶

AR-N 2200

适合喷涂（Spray Coating）的负性光刻胶，高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面，可用于复杂工艺。

AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工艺

i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形，为满足集成电路制造中的关键工艺要求而设计。良好的耐等离子体刻蚀性能，在金属和氧化物表面的附着力好，并可用于lift-off工艺。

AR-N 4340 化学放大胶，紫外曝光，可做lift-off工艺

i线、g线曝光。化学放大胶，高灵敏度，高分辨率，高对比度，在金属和氧化物表面附着力好，可用于lift-off工艺