主要用于耐碱刻蚀以及保护层。光刻胶可以在2n（2mol/L）的NaOH中可以稳定很长时间。

SX AR-PC 5000/80 聚酰亚胺光刻胶，不含光敏物质

热稳定性光刻胶，在400°C时仍然很稳定。不含光敏物质，但是可以和正胶配合使用，通过双层工艺来制作图形。可以用于制作传感器材料、保护层及绝缘层。

SX AR-PC 5000/82 聚酰亚胺光刻胶，紫外正胶

热稳定性光刻胶，正胶，在400°C时仍然很稳定。具有良好的耐等离子刻蚀性能，可用于离子注入工艺。

X AR-P 5800/7 深紫外曝光胶，正胶

深紫外曝光（248 - 265 nm 和300 - 450 nm），在这个波长范围内，光刻胶的透射率高。耐刻蚀性能好。适合接触曝光，曝光过程中，产生的氮气少，可以提高图形质量。

SX AR-P 3500/6 全息曝光用胶，正胶

在长波段具有很好的灵敏度，敏感波段为（308 – 500nm），主要用于全息曝光工艺。

SX AR-N 4800/16 有机溶剂显影光刻胶（用于无水环境），负胶

基于PMMA的负胶，曝光波长230 – 365nm。主要用于工艺中衬底材料对水敏感，需要无水环境操作的情况。采用有机溶剂显影，避免了水或潮气对衬底材料的破坏。