SOI硅片
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品牌名称：$brandModel.Title(进口品牌)型号： 原产地：中国大陆 发布时间：2020/10/24 14:59:45更新时间：2024/12/24 10:12:44
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UV灯
详细内容
SOI 硅片
1. 直径4～8英寸
2.可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
3.器件层厚度*薄可到150nm，埋氧层厚度可到*薄1um
4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制
1. 4 －－ 8 inches in diameter
2. Bonding process SOI ａnd Smart cut process SOI can be provided
3. The thickness of device layer can be as thin as 150nm, ａnd the thickness of buried oxygen layer can be as thin as 1um
4. It can be customized according to the parameters of each layer of device layer, buried oxygen layer ａnd bulk silicon, as well as multi-layer SOI
1. 直径4～8英寸
2.可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
3.器件层厚度*薄可到150nm，埋氧层厚度可到*薄1um
4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制
1. 4 －－ 8 inches in diameter
2. Bonding process SOI ａnd Smart cut process SOI can be provided
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4. It can be customized according to the parameters of each layer of device layer, buried oxygen layer ａnd bulk silicon, as well as multi-layer SOI
SOI 硅片
1. 直径4～8英寸
2.可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
3.器件层厚度*薄可到150nm，埋氧层厚度可到*薄1um
4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制
1. 4 －－ 8 inches in diameter
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1. 直径4～8英寸
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4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制
1. 4 －－ 8 inches in diameter
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3. The thickness of device layer can be as thin as 150nm, ａnd the thickness of buried oxygen layer can be as thin as 1um
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1. 直径4～8英寸
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3.器件层厚度*薄可到150nm，埋氧层厚度可到*薄1um
4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制
1. 4 －－ 8 inches in diameter
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3. The thickness of device layer can be as thin as 150nm, ａnd the thickness of buried oxygen layer can be as thin as 1um
4. It can be customized according to the parameters of each layer of device layer, buried oxygen layer ａnd bulk silicon, as well as multi-layer SOI
1. 直径4～8英寸
2.可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
3.器件层厚度*薄可到150nm，埋氧层厚度可到*薄1um
4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制
1. 4 －－ 8 inches in diameter
2. Bonding process SOI ａnd Smart cut process SOI can be provided
3. The thickness of device layer can be as thin as 150nm, ａnd the thickness of buried oxygen layer can be as thin as 1um
4. It can be customized according to the parameters of each layer of device layer, buried oxygen layer ａnd bulk silicon, as well as multi-layer SOI
