IBM离子铣/IBE离子束刻蚀系统：

NIE-4000  独立式 IBE 刻蚀系统

NIE-3500 紧凑型独立式 IBE 刻蚀系统

NIR-4000 独立式 IBE / RIE 双刻蚀系统

NIE-3000 台式 IBE 刻蚀系统

NANO-MASTER那诺-马斯特的IBM离子铣系统或IBE离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子铣系统的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。
 
NANO-MASTER那诺-马斯特技术已经展示了IBM离子铣系统或IBE离子束刻蚀系统可以把基片温度保持在50°C以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。
 
不同的选配项可以用于不同的网格配置以及中和器。溅射选配项可以支持对新刻蚀金属表面的涂覆，以防氧化。此外，还可以选配单晶圆自动上下片功能。该系列IBM离子铣系统或IBE离子束刻蚀系统可以配置RF ICP离子源，升为RIBE反应离子束刻蚀系统。

NANO-MASTER那诺-马斯特的IBM离子铣系统或IBE离子束刻蚀系统的型号包含NIE-3000型的台式系统，NIE-3500型的紧凑型立柜式系统，可支持样品台的倾斜和冷却，NIE-4000型的立柜式系统，可支持IBE和RIBE的快速刻蚀。

特点：

** 优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体
** 水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具
** 带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC
** 直流离子源1cm-16cm
** RF ICP离子源大到16cm
** 6”基片的刻蚀均匀度±1.2%
** 其它任何材质的衬底刻蚀
** 能够控制基片温度在50°C以内
** 26”x44”占地面积的不锈钢柜体，非常适用于百超净间
** 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动
** LabVIEW友好用户界面
** EMO和安全互锁

选配：

** 光谱终点监测系统
** 背氦冷却
** 21”立方的电抛光不锈钢腔体
** 单片自动及Cassette-to-Cassette自动
** 1200L/Sec涡轮分子泵
** 冷泵配置
** 增加MFC用于反应气体实现RIBE
** 栅格式RFICP离子源
** 中空阴或灯丝中和器
** 溅射源用于钝化层沉积

应用：

** III-V族光学元件
** 激光光栅
** 高深宽比的光子晶体刻蚀
** SiO2，Si和金属的深槽刻蚀
** 带斜坡的光栅刻蚀