PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蚀系统

 

PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。

· 光滑侧壁工艺

· 高刻蚀速率腔刻蚀

· 高深宽比工艺

· 锥形通孔刻蚀

· 广泛的应用域

· 机械或静电压盘

· 加热内衬          

· 改善重复性

· 延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）

概述:

PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在确保覆盖MEMS，封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。

特征:

硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现。

兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力

自动匹配 - 拥有工艺灵活性

更高流量的质量流量计以及等离子发生器 - 自由基密度更高

减小的腔体尺寸和高效率的泵 - 确保气体高速流通

快速近距离耦合质量流量计 - 快速控制（初始为ALD而开发）

应用:

· 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

· 二氧化硅和石英刻蚀