离线工具MDPmap是专为半导体晶片或部分工艺过的晶片的多功能、非接触和少子寿命测量而设计的。MDPmap能够连续地改变激发脉冲宽度，从非常短的脉冲(100ns)到稳态测量(几ms)，研究不同深度的缺陷动力学和少子寿命特性。直观的绘图软件适用于有效的常规测量以及复杂的研发应用。

MDPmap设计用于离线生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数的小型台式无触点电特性测量仪器，在稳态或短脉冲激励下(μ-PCD)下工作。自动的样品识别和参数设置允许在从原始生长晶片到高达95%金属化晶片的各种工艺阶段之后，容易地应用于包括外延层的各种不同样品。

MDPmap的主要优点是灵活性高。例如，它允许集成多达四个激光器，用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量，或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选择。可以使用不同的测量图形进行客户定义的计算，以及导出用于进一步评估的主要数据。对于标准测量，预定义的标准仅通过按一个按钮即可实现常规测量。

优势

。在几乎任何生产阶段，电活性缺陷或材料性能的可视化实现了工艺优化和设备的性能预测。
。极其通用的测量方法可实现特殊测量以及标准的可追溯性。
。小型紧凑的台式工具，具有很高的测量灵敏度，便于快速常规测量。