德国Sentech(第1页)_深圳市蓝星宇电子科技有限公司

SI 500德国Sentech ICP-RIE等离子蚀刻机- SI 500

德国Sentech ICP-RIE等离子蚀刻机- SI 500，8英寸的晶圆

价格：￥电议型号：SI 500产地：中国大陆
SI 500-300德国 Sentech 多晶圆等离子刻蚀机

ICP-RIE Plasma Etcher - SI 500-300 Multiwafer SI 500-300多晶圆等离子刻蚀机300 mm / 400 mm 载板，用于多片晶圆

价格：￥电议型号：SI 500-300产地：欧洲
SI 500 RIE德国Sentech 等离子刻蚀机

德国Sentech 等离子刻蚀机 SI 500 RIE，RIE 蚀刻机，最大 8 英寸晶圆, 带可选的 ICP 源扩展

价格：￥电议型号：SI 500 RIE产地：欧洲
SI 500 C德国Sentech 低温等离子蚀刻机

德国Sentech 低温等离子蚀刻机 SI 500 C，最大 8 英寸晶圆，-150°C...+150°C

价格：￥电议型号：SI 500 C产地：欧洲
Etchlab 200德国Sentech 反应离子刻蚀机

德国Sentech 反应离子刻蚀机 Etchlab 200，最大 8 英寸晶圆，硅及相关材料的蚀刻

价格：￥电议型号：Etchlab 200产地：欧洲
Etchlab 380德国Sentech 多晶圆等离子体反应刻蚀机

德国Sentech 多晶圆等离子体反应刻蚀机 Etchlab 380，最大 300 mm 晶圆，用于多个晶圆的 380 mm 载体

价格：￥电议型号：Etchlab 380产地：欧洲
SI 591德国 Sentech 等离子刻蚀机

德国 Sentech 等离子刻蚀机 SI 591，所有材料的蚀刻，金属溅射，亚微米蚀刻

价格：￥电议型号：SI 591产地：欧洲
Depolab 200德国Sentech PECVD沉积设备

德国Sentech PECVD沉积设备 Depolab 200，最大 8 英寸晶圆，高达 400°C 的基板温度，低频混合，300-500 kHz 可选

价格：￥电议型号：Depolab 200产地：欧洲
SI 500 PPD德国Sentech PECVD沉积设备

德国Sentech PECVD沉积设备 SI 500 PPD,最大 8 英寸晶圆, 高达 350°C 的基板温度, 低频混合，300-500 kHz可选

价格：￥电议型号：SI 500 PPD产地：欧洲
SI 500 D德国Sentech PECVD沉积设备

德国Sentech PECVD沉积设备 SI 500 D，最大 8 英寸晶圆，RT....300/400°C 基板温度

价格：￥电议型号：SI 500 D产地：欧洲
SI ALD / SI PEALD德国Sentech 原子层沉积设备

德国Sentech 原子层沉积设备 SI ADL LL/ SI PEALD LL,在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度, 在具有高纵横比的模型上进行 3D保形沉积, 400/500°C 基板温度, 最大 8 英寸晶圆.

价格：￥电议型号：SI ALD / SI PEALD产地：欧洲
SI ADL LL/ SI PEALD LL德国Sentech 原子层沉积设备

德国Sentech 原子层沉积设备 SI ADL LL/ SI PEALD LL,在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度, 在具有高纵横比的模型上进行 3D保形沉积, 400/500°C 基板温度, 最大 8 英寸晶圆.

价格：￥电议型号： SI ADL LL/ SI PEALD LL产地：欧洲
德国Sentech多腔体沉积镀膜刻蚀设备

德国Sentech多腔体沉积镀膜刻蚀设备,集群配置,所有等离子工具都可以排列在一个集群工具中。提供用于研发和高吞吐量生产的集群。通过单个晶圆装载锁和/或晶圆盒站装载晶圆。

价格：￥电议型号：产地：欧洲
SLI 670德国Sentech激光干涉仪

德国Sentech激光干涉仪 SLI 670，670 nm 波长，光斑尺寸 100 μm，电动载物台，反射率和干涉模式

价格：￥电议型号： SLI 670产地：欧洲
OCS201C，OCS202C，OCS203C，OCS205C，OCS207C德国Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统

德国Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统，包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

价格：￥电议型号：OCS201C，OCS202C，OCS203C，OCS205C，OCS207C产地：欧洲
Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统

$r$nSentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统$r$nSentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统，SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。$r$n

价格：￥电议型号：产地：欧洲
SI 500德国 Sentech 等离子体 ICP 干法刻蚀机

SENTECH SI 500 电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统，$r$n感应耦合等离子刻蚀机台，低损伤纳米结构刻蚀，高速率刻蚀，内置ICP等离子源，动态温控。

价格：￥电议型号：SI 500产地：欧洲
ICP-RIE SI 500德国 Sentech 等离子刻蚀机

德国Sentech ICP-RIE SI 500 等离子刻蚀机，代表了电感耦合等离子体(ICP)加工在研究和生产上的先优势。它以PTSA等离子体源、动态控温基片电、全控真空系统、先进的Sentech 控制软件为基础，采用远程现场总线技术，为操作SI 500提供了非常人性化的通用用户界面。灵活性和模块化是SI 500的设计特点。

价格：￥电议型号：ICP-RIE SI 500产地：欧洲
RIE SI591德国 Sentech 反应离子刻蚀机

ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机，兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺；小型化和高度模块化；SENTECH控制软件

价格：￥电议型号：RIE SI591产地：欧洲
Etchlab 200 RIE德国 Sentech 等离子刻蚀机

Etchlab 200 RIE等离子体蚀刻机是一种将RIE平行板电设计的优点与直接负载的低成本设计相结合的直接负载等离子体蚀刻机系列。Etchlab 200具有简单快速的样品加载功能，从零件到200a€‰mm或300a€‰mm直径的晶圆片直接加载到电或载体上。$r$n

价格：￥电议型号：Etchlab 200 RIE产地：欧洲

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