我公司新近推出英飞凌全新的FF450R33T3E3采取XHP™ 3这种封装模块。 3300 V，450 A 双 IGBT 结构，采用第三代 TRENCHSTOP ^TM IGBT 和发射极控制二极管——拥有灵活性和可靠性新设计产品！

电气特性

·         高直流电压稳定性

·         高短路能力

·         低开关损耗

·         低 V_CEsat

·         出色的坚固性

·         T_{vj op} = 150°C

·         V_CEsat 带正温度系数

·         铝碳化硅基板，用于提高热循环能力

·         封装的 CTI > 600

·         绝缘基板

   独特优势：

·         高功率一体化平台，提供灵活性和可扩展性

·         高功率密度和优化的框架尺寸

·         高可靠性，且使用寿命长

·         降低系统成本

·         低电感

应用领域：

电机驱动及控制（通用变频器和近年来发展的大传动）

风电逆变器

轨道交通（牵引变流器）

船舶系统变频电源

中压变流器

大功率储能系统装置

可以替代FF400R33KF2C的新产品设计。