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FSM1201S半导体晶圆傅立叶红外分析仪
点击次数：109发布时间：2020/3/4 15:34:51
更新日期：2020/3/4 15:34:51
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产品型号：FSM1201S
优质供应
详细内容
半导体晶圆片的无损检测SEMI标准采纳了傅里叶红外光谱法。FSM1201S半导体晶圆分析仪可以根据预设的程序（可以通过软件窗口图文预设1-9个测定点）对76、100、 125、150 以及200mm直径晶圆进行自动分析。单点分析时间不超过20秒。
主要技术指标：
光谱范围,cm-1 | 400–7800 |
光谱分辨率, cm -1 | 1 |
样品中光斑直径, mm | 6 |
的晶圆直径, mm | 200 (300需预定) |
分析台定位精度, mm | 0.5 |
单点标准分析时间, sec | 20 |
仪器尺寸, mm | 670x650x250 |
仪器重量, kg | 37 |
适用以下标准方法：
1） 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm）,浓度范围：(5x1015–2x1018)±5x1015 см-3 标准: SEMI MF1188, TestMethod for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption WithShort Baseline);
2）硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm）,检测范围：(1016–5x1017)±1016 см-3标准: SEMI MF1391 TEST METHOD FOR SUBSTITUTIONAL ATOMICCARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION
3）硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 标准:SEMI MF951 Test Method forDetermination if Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers);
4）硅外延层厚度的分析 (标准:SEMI MF95 Thickness of epitaxial layers forsilicon n-n and p-p structures: (0.5–10)±0.1 µm, (10–200)±1% µm);
5）SOS体系硅外延层厚度的分析Thickness ofsilicon epitaxial layers in SOS structures:(0.1–10) ±0.01 μm
6）BPSG中硼和磷浓度，PSG中磷浓度的分析Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG on silicon: (1–10)±0.2 Wt%。
