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详细内容
空气经空压机压缩，空气进入缓冲罐储存，经过滤系统过滤除去油、粉尘、水。再经冷干机进行冷冻干燥，进入制氮装置。进入制氮装置的压缩空气，先经一体式过滤器深度除去油和水后，经空气缓冲罐稳压，进入填充碳分子筛的吸附塔，洁净的压缩空气在此进行氧、氮分离，制得的氮气送至氮气缓冲罐，经氮气分析仪检测、流量计计量，不合格氮气放空，合格氮气贮存于氮气储罐中供生产使用。
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高纯氮气发生器价格 实验微型氮气机配套设备包装充氮气
工作原理
变压吸附制氮机（Pressure Swing Adsorption，简称PSA）是一种气体分离技术，在现场供气方面具有不可替代的地位。吸附剂（称为碳分子筛）是PSA制氮设备的核心部分，利用气体介质中不同组份在吸附剂上的吸附容量的不同，吸附剂在压力升高时进行选择性吸附，在压力减少时得到脱附再生，如此交替循环连续不断地制取产品氮气。
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在吸附平衡情况下，吸附同一气体时，气体压力越高，则吸附剂的吸附量越大。反之，压力越低，则吸附量越小。如下图所示：
产品特点
1.输出压力0－－0.7MPa，能够满足对气源的高压力要求。
2.机器包含空压机，冷干机，过滤系统。
3.氮气发生器底部具承重轮及锁扣设计，安放平稳，移动方便
4.自带氮气纯度仪、流量计，可实时显示氮气纯度、流量，便于操作。
5.采用特别设计的压缩空气微油吸附器，利用PSA制氮活性炭吸附压缩空气中残余的油分，防止可能出现的微量油渗透，为碳分子筛提供保护。
6.与国内外分子筛厂家的合作经验，可根据用户工况选配较节能的产品。
7.空气储罐提供氧氮分离单元所需的压缩空气，减少压缩空气净化单元负载，减小系统压力波动，减少气流脉动，提高净化性能，减少故障率，提高使用周期
8.氮气缓冲罐均衡氧氮分离单元输出的氮气纯度及压力，提供二次均匀工艺所需的高纯度氮气，优化吸附塔床层氮气分布，确保氮气流量、纯度及压力稳定。
技术参数
Anyan氮气发生器可订制各种流量，纯度分别为99%，99.9%，99.99%，99.999%，99.9999%的氮气发生器，欢迎选购！
| 型号： | AYAN-10LB | AYAN-20LB | AYAN-30LB | AYAN-40LB | AYAN-50LB | AYAN-60LB | AYAN-70LB | AYAN-100LB |
| 氮气纯度： | 95-99.999％（备注：订购先选定好需要的纯度，根据纯度报价） | |||||||
| 输出流量： | 0-10L∕min | 0-20L∕min | 0-30L∕min | 0-40L∕min | 0-50L∕min | 0-60L∕min | 0-70L∕min | 0-100L∕Min |
| 噪声 | 65dB | ≤65dB | ≤65dB | |||||
| 输出压力： | 0-0.6Mpa(出厂设定0.5Mpa) | 0-0.5Mpa | 0-0.7Mpa | |||||
| 工作电源： | 220V±10％﹔50HZ±5％ | 380V±10％﹔50HZ±5％ | ||||||
| 功率： | 2200W | 2800W | 2800W | 2800W | 3200W | 3600W | 4500W | 0-0.7Mpa |
| 环境条件： | 环境温度:10-40℃,相对湿度:≤85％,无大量粉尘及腐蚀性气体 | |||||||
| 外形尺寸： | 950﹡750﹡1200mm | 1100﹡850﹡1400mm | 1200﹡900﹡1400mm | 1200﹡900﹡1400mm | 1200﹡900﹡1400mm | 1300﹡900﹡1400mm | 1300﹡950﹡1200mm | 1400﹡950﹡1300mm |
| 重量： | 180Kg | 180Kg | 180Kg | 180Kg | 220Kg | 260Kg | 380Kg | 380Kg |
产品相册
公司介绍
It is hard to overstate how different this situation is from other wideband gap semiconductors. For all of the emerging wideband semiconductors, except silicon carbide (SiC), there simply isn＇t a significant semiconductor substrate on which to grow large crystals. That means they have to grow on a disk of another material, ａnd that comes at a price. For example, gallium nitride is usually grown on silicon, silicon carbide or sapphire substrates in a complex process. However, the crystal structure of these substrates is obviously different from that of gallium nitride, ａnd this difference creates a "lattice mismatch" between the substrate ａnd gallium nitride, leading to a large number of defects. These defects bring a series of problems to the devices produced. Because Ga2O3 is its own substrate, there is no mismatch, so there is no defect. Novel Crystal Technology, based in Saitama, Japan, has demonstrated 150-millimeter β-Ga2O3 wafers.
