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详细内容
空气经空压机压缩，空气进入缓冲罐储存，经过滤系统过滤除去油、粉尘、水。再经冷干机进行冷冻干燥，进入制氮装置。进入制氮装置的压缩空气，先经一体式过滤器深度除去油和水后，经空气缓冲罐稳压，进入填充碳分子筛的吸附塔，洁净的压缩空气在此进行氧、氮分离，制得的氮气送至氮气缓冲罐，经氮气分析仪检测、流量计计量，不合格氮气放空，合格氮气贮存于氮气储罐中供生产使用。
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小型制氮机 实验微型氮气机配套设备包装充氮气
工作原理
变压吸附制氮机（Pressure Swing Adsorption，简称PSA）是一种气体分离技术，在现场供气方面具有不可替代的地位。吸附剂（称为碳分子筛）是PSA制氮设备的核心部分，利用气体介质中不同组份在吸附剂上的吸附容量的不同，吸附剂在压力升高时进行选择性吸附，在压力减少时得到脱附再生，如此交替循环连续不断地制取产品氮气。
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在吸附平衡情况下，吸附同一气体时，气体压力越高，则吸附剂的吸附量越大。反之，压力越低，则吸附量越小。如下图所示：
产品特点
1.输出压力0－－0.7MPa，能够满足对气源的高压力要求。
2.机器包含空压机，冷干机，过滤系统。
3.氮气发生器底部具承重轮及锁扣设计，安放平稳，移动方便
4.自带氮气纯度仪、流量计，可实时显示氮气纯度、流量，便于操作。
5.采用特别设计的压缩空气微油吸附器，利用PSA制氮活性炭吸附压缩空气中残余的油分，防止可能出现的微量油渗透，为碳分子筛提供保护。
6.与国内外分子筛厂家的合作经验，可根据用户工况选配较节能的产品。
7.空气储罐提供氧氮分离单元所需的压缩空气，减少压缩空气净化单元负载，减小系统压力波动，减少气流脉动，提高净化性能，减少故障率，提高使用周期
8.氮气缓冲罐均衡氧氮分离单元输出的氮气纯度及压力，提供二次均匀工艺所需的高纯度氮气，优化吸附塔床层氮气分布，确保氮气流量、纯度及压力稳定。
技术参数
Anyan氮气发生器可订制各种流量，纯度分别为99%，99.9%，99.99%，99.999%，99.9999%的氮气发生器，欢迎选购！
| 型号： | AYAN-10LB | AYAN-20LB | AYAN-30LB | AYAN-40LB | AYAN-50LB | AYAN-60LB | AYAN-70LB | AYAN-100LB |
| 氮气纯度： | 95-99.999％（备注：订购先选定好需要的纯度，根据纯度报价） | |||||||
| 输出流量： | 0-10L∕min | 0-20L∕min | 0-30L∕min | 0-40L∕min | 0-50L∕min | 0-60L∕min | 0-70L∕min | 0-100L∕Min |
| 噪声 | 65dB | ≤65dB | ≤65dB | |||||
| 输出压力： | 0-0.6Mpa(出厂设定0.5Mpa) | 0-0.5Mpa | 0-0.7Mpa | |||||
| 工作电源： | 220V±10％﹔50HZ±5％ | 380V±10％﹔50HZ±5％ | ||||||
| 功率： | 2200W | 2800W | 2800W | 2800W | 3200W | 3600W | 4500W | 0-0.7Mpa |
| 环境条件： | 环境温度:10-40℃,相对湿度:≤85％,无大量粉尘及腐蚀性气体 | |||||||
| 外形尺寸： | 950﹡750﹡1200mm | 1100﹡850﹡1400mm | 1200﹡900﹡1400mm | 1200﹡900﹡1400mm | 1200﹡900﹡1400mm | 1300﹡900﹡1400mm | 1300﹡950﹡1200mm | 1400﹡950﹡1300mm |
| 重量： | 180Kg | 180Kg | 180Kg | 180Kg | 220Kg | 260Kg | 380Kg | 380Kg |
产品相册
公司介绍
Masataka Higashiwaki of the National Institute of Information ａnd Communication Technology (NICT) in Tokyo was the first to recognize the potential of β-Ga2O3 in power switches. In 2012, his team surprised the semiconductor device world by reporting the first-ever single-crystal β-Ga2O3 transistor. This is a type of device called a metal semiconductor field effect transistor. How good is it? Well, one of the key measures of a power transistor is the breakdown voltage, the point at which the semiconductor＇s ability to s the flow of current breaks down. Higashiwaki＇s Pioneer transistor had a breakdown voltage of more than 250V. GaN, by contrast, has taken nearly two decades to surpass that mark.
