低温砷化镓基片外延生长定制
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详细内容
LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。
1、半导体光电子器件结构生长
我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层,适用于不同应用。
2、低温砷化镓
对于某些应用需要快速响应装置,例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件,响应时间短至1 ps。
我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓。
参数如下:
- 砷化镓晶片直径:2" 或4"
- 薄膜叠层厚度:5 μm
规格:
- LT-GaAs-50.8:2"(50.8 mm)LT-GaAs晶片
- LT-GaAs-100:4"(100 mm)LT-GaAs晶片
- LT-InGaAs-100:4"(100 mm)LT-InGaAs晶圆片
- LT-GaA-100-C:具有定制金属结构的4"(100 mm)LT-GaAs晶圆片
具体规格可进一步咨询。
上海屹持光电技术有限公司
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