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HN40N10KA 参数 100V 40A TO-252 低开启电压 N沟道 MOS管
品牌：HN
型号：HN40N10KA
VDS：100V
IDS：40A
封装：TO-252
沟道：N沟道
低开启电压
HN40N10KA原装正品,HN40N10KA现货热销。
售后服务：公司免费提供HN40N10KA样品，并提供产品运用的技术支持。
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【赖】
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HN40N10KA采用的沟槽技术设计提供优秀的RDS（ON）和低栅电荷。它可用于多种应用。
应用：1电源切换应用；2硬开关和高频电路；3不间断电源
40N10一般特征
VDS=100V，ID=40A；
RDS（开）<16m?@VGS=10V；
高静电放电能力的特殊工艺技术；
超低Rdson的高密度电池设计；
全特性雪崩电压和电流；
稳定性好，均匀性好，EAS高；
良好的散热包装；
40N10场效应管使用优势：
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双型器件。
有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三管好。
40N10 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
