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HN20P04采用的沟槽技术设计提供好的RDS（ON）和低栅电荷该装置非常适合用作负载开关或PWM应用。
一般特征
VDS=-40V，ID=-20A。
RDS（开）<40m@VGS=-10V。
RDS（开）<57m@VGS=-4.5V。
超低Rdson的高密度电池设计。
全特性雪崩电压和电流。
良好的散热包装。
HN20P04 ： -40V -20A SOT-89 P沟道 MOS管
品牌：HN
型号：HN20P04
VDS： -40V
IDS：-20A
封装： SOT-89
沟道： P沟道
HN20P04原装正品,HN20P04现货热销供应
售后服务：公司免费提供HN20P04样品，并提供产品运用的技术支持。
【赖,】
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