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HS20N03 SOT-89 20A 30V N沟道 MOS管
点击次数：147发布时间：2020/9/11 17:32:38
更新日期：2022/7/7 9:04:20
所 在 地：中国大陆
产品型号：
相关标签：HS20N03
优质供应
详细内容
HS20N03 参数 30V 20A SOT-89 N沟道 MOS场效应管
品牌：HOMSEMI/宏矽
型号：HS20N03
VDS：30V
IDS：20A
封装：SOT-89
沟道：N沟道
HS20N03原装正品，HS20N03库存现货热销
售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。
阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。
【赖】
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【赖】
参数：
漏源电压VDSS 30 V;
栅源电压VGS±20 V;
连续漏电流（TC＝25°C）id 30 A;
脉冲漏电流（TC = 25°IDM 120 C）;
单脉冲（注3）EAS 15 MJ雪崩能量重复（注2）耳6兆焦耳;
峰值二管恢复dv/dt（注4）的dv / dt的6 kV /μS;
功耗（TC = 25°C）PD 60 W;
结温TJ+ 175°C;
存储温度**容许55 ~ + 175°C。
HS20N03 有2种：
HS50N06DA 参数 30V 20A TO-252 N沟道 MOS场效应管
HS20N03 参数 30V 20A SOT-89 N沟道 MOS场效应管
