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SLD80N06T 参数：60V 80A TO-252 N沟道MOS管
品牌：美浦森
型号： SLD80N06T
电压：60V
电流：80A
封装：TO-252
种类：绝缘栅(MOSFET)
SLD80N06T原装，SLD80N06T库存现货热销
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【赖,】
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VMOS场效应管
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅、源和漏大大致处于同水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:第，金属栅采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，后垂直向下到达漏D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
SLD80N06T 60V TO-252 NMOS管 产品热销
