昊量光电全新推出的半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统。利用半导体参数分析仪RTM2的集成开关矩阵实现无限的精度和稳定性用于片状、霍尔和电阻张量的测量。

半导体参数分析仪RTM2主要功能：

1. 半导体参数分析仪RTM2专为自动精密测量电阻和相关量而设计。半导体参数分析仪RTM2将直流和交流测量与独特的集成开关矩阵结合在一起。

2. 半导体参数分析仪RTM2具有锁定放大器的低噪、具有高端万用表 8 位以上的动态范围和无与伦比的稳定性，可研究 ppb 级效应。nΩ研究变得前所未有的简单。

3. 创新的连接器设计允许传统的 BNC 操作与被动屏蔽或主动防护屏蔽。这将直流阻抗上限扩展到了 Tera-Ohm 范围，并将交流带宽提高了约两个数量级，以测试MΩ器件。

4. 半导体参数分析仪RTM2只需一台设备就能自动记录完整的电阻张量（Rx、Ry、RH），即使是在无图案的薄膜上。

5. 半导体参数分析仪RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及传感器、晶片和设备测试。在快速多路复用设置中进行交流测试的独特能力，可在现场生产过程中实现更严格的元件分选。

    

   

半导体参数分析仪RTM2开关矩阵的优点：

1. 万用表或锁相放大器等传统精密设备依赖于与被测设备（DUT）静态连接的四线电阻测量方法。这种方法不可避免地会受到来自被测设备和测量设备本身的各种干扰影响。

2. 惠斯通电桥或平版印刷霍尔条图案等测量安排可用于减少某些干扰的影响，但它们都依赖于实际电阻器或蚀刻图案的精确和稳定的对称性，这在实践中是无法实现的。

3. 相比之下，矩阵开关可以在时域中分离干扰的影响。其中一个例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精确区分纵向和横向电阻，即使是在没有光刻图案的不规则形状样品上也是如此。

4. 另一个例子是某些直流仪表采用的 "自动归零（auto-zeroing）"，以补偿偏移漂移。但这还不够。半导体参数分析仪RTM2的全矩阵切换功能及其与紧密多路交流测量的完全兼容性为我们带来了无限可能。

5. 可以对偏移和增益漂移进行补偿，从而实现无限的稳定性。这里的 "无限 "是字面意思：可实现的精度不是 7、8 或 10 位数，而是您愿意等待的位数。在自己的实验室里进入计量圈子吧！

6. 还可以对整个仪器的复合非线性进行补偿。这样就可以测试亚ppm 级的 I-V 非线性，从而在较低和较温和的电流密度下看到更高阶的传输物理。

半导体参数分析仪RTM2突出亮点

• 基于集成开关矩阵的可重构设备架构

• 8 个用户自定义端口（BNC 连接器），功能（输入、输出和/或参考）可自由确定

• BNC 屏蔽可配置为无源接地或有源屏蔽

• 使用固定连接（开尔文或霍尔几何）进行传统的交流和直流 4 线测量

• 交替连接的交流和直流测量（电阻张量测量、范-德-波测量或电阻率测量）

• 同时测量薄膜纵向和横向电阻的精确绝对值，无需光刻图案

• 常用测量模式的软件预设，可指定任何用户特定的切换序列

• 基于 TCP 的通信，可轻松集成到任何环境中（如 Labview、C、Python）

半导体参数分析仪RTM2主要的优势：

• 可替代所有用于电气特性测量的标准设备(例如锁定放大器、SMU、DMM）

• 通过集成的矩阵开关克服了静态 4 点测量的局限性

• 提供范-德-波测量和电阻张量测量的预设值，并允许用户进行全面配置

• 无需进行复杂的样品制备（如平版印刷）。

• 可轻松连接多种不同的测量装置（如探针台、低温恒温器、真空系统等）

• 节省测量时间，提高样品吞吐量

半导体参数分析仪RTM2主要的应用领域

材料研究与表征

• 固体物理 

• 半导体物理

• 磁性器件 

• 柔性电子器件

• 自旋电子学 

• 新型功能电子材料和器件

工业研发和晶片/设备测试

• 微电子设备 

• 存储器

• 晶体管、二极管 

• LED/OLED 

• 太阳能电池 

• 显示器、TCO 

• 传感器

   

半导体参数分析仪RTM2典型测试示例：

• 在标准几何结构（开尔文和霍尔布局）中进行超低噪声、高稳定性交流和直流 4 线测量

• 对不规则、无结构薄膜样品进行范德保开关连接 4 线测量

• 基础物理学和计量学中的亚ppm 相对变化和非线性测量

• 零偏移霍尔 4 线测量（即使是非结构化样品，也能准确分离纵向电阻和横向电阻）

• 比率电阻测量，消除样品和设备漂移

• 高驱动谐波失真测量

• 脉冲和测量例程

半导体参数分析仪RTM2规格参数：

产品详细信息可联系我们或下载数据资料！

关于昊量光电：

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