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技术文章

超高分辨率电子束光刻EBL Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH s的技术原理#技术报道

点击次数:91 发布时间:2022/9/15 15:09:17

超高分辨率电子束光刻EBL Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH s
http://www.app17.com/c149799/products/d11303989.html

超高分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。 

超高分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括:
CABL-UH90 (90keV) CABL-UH110 (110keV) CABL-UH130 (130keV)

技术参数:
加速电压:高130keV
单段加速能力达到130keV,尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm
小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力


CRESTEC CABL 系列采用业的恒温控制系统,使得整个主系统的温度保持恒定,再加上主系统内部精密传感装置,使得电子束电流稳定性,电子束定位稳定性,电子束电流分布均一性都得到了大的提高,其性能指标远远高于其它厂家的同类产品,在长达 5 小时的时间内,电子束电流和电子束定位非常稳定,电子束电流分布也非常均一。


原创作者:北京亚科晨旭科技有限公司

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