纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 

技术参数：
1.小线宽：小于10nm（8nm available) 
2.加速电压：5-50kV 
3.电子束直径：小于2nm 
4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 
5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 
7.描电镜分辨率：小于2nm

主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 
2.出色的电子束偏转控制技术 
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 
5.应用域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。