PICOSUN®R-200高级

PICOSUN®R-200高级

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。

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技术特点

典型的基材尺寸和类型

50-200 mm单晶片

156毫米x 156毫米太阳能硅晶片

3D物件

粉末和颗粒

小批量

多孔，贯通孔和高长宽比（高达1：2500）

加工温度

50 – 500°C，等离子450°C（650°C，可根据要求提供加热卡盘）

典型流程

Al2O3，TiO2，SiO2，Ta2O5，HfO2，ZnO，ZrO2，AlN，TiN，金属如Pt或Ir

基板加载

用气动升降机手动装载

磁力锁机械臂

搬运机器人半自动装载

使用集群工具在盒式磁带间加载

前体

液体，固体，气体，臭氧，等离子（*）

多达12个带有6个独立进样口的离子源（如果选择等离子选项，则为7个）

选件

群集工具，Picoflow™扩散增强剂，卷对卷室，RGA，UHV兼容性，N2发生器，气体洗涤器，定制设计，用于惰性装载的手套箱集成

PICOSUN®R-200高级ALD系统是高级ALD研究工具的全球市场ling导者，已有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。

敏捷的设计实现了zui  高质量的ALD薄膜沉积以及zui  终的系统灵活性，可以满足未来的需求和应用。的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在zui  具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学品前体源。高效且获得的远程等离子选件可实现金属沉积，而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱，UHV系统，手动和自动装载机，集群工具，粉末仓，卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在一起，无论您现在或将来的研究ling域如何，都可以高效，灵活地进行研究，并获得良好的结果稍后。

（*）等离子发生器技术特点：

远程血浆源安装到装载室并与反应室连接

出色性能的适用于不同化学性质的蓝宝石涂药器

商用微波等离子体发生器，具有300 – 3000 W可调功率，2.45 GHz频率

保护气体在中间空间中流动（无等离子体物质的反向扩散）

在相同的沉积过程中，等离子体和热ALD循环的可能性，而无需对系统进行硬件更改

以下相关标准用于评估电源的符合性：DIN EN ISO 12100：

电源的开发和制造满足SEMI S2-0310的要求