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源表应用
分立半导体器件特性测试，电阻、二管、发光二管、齐纳二管、 PIN 二管、 BJT 三管、 MOSFET 、 SIC 、 GaN 等器件；
能量与效率特性测试， LED/AMOLED 、太阳能电池、电池、 DC-DC 转换器等
传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等
有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等
纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等
S系列源表技术指标
电压及电流精度： ( 不同型号电压量程由差异，以选型指南为准 )
| 电压 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度± (% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度± (% rdg.+volts) |
| 300mV | 30uV | 0.1% ± 300uV | 30uV | 0.1% ± 300uV |
| 3V | 300uV | 0.1% ± 500uV | 300uV | 0.1% ± 500uV |
| 30V | 3mV | 0.1% ± 3mV | 3mV | 0.1% ± 3mV |
| 300V | 30mV | 0.1% ± 30mV | 30mV | 0.1% ± 30mV |
| 电流 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度± (% rdg.+A) | 分辨率 | 准确度± (% rdg.+A) |
| 100nA | 10pA | 0.1% ± 0.5nA | 10pA | 0.1% ± 0.5nA |
| 1uA | 100pA | 0.1% ± 3nA | 100pA | 0.1% ± 3nA |
| 10uA | 1nA | 0.1% ± 5nA | 1nA | 0.1% ± 5nA |
| 100uA | 10nA | 0.1% ± 50nA | 10nA | 0.1% ± 50nA |
| 1mA | 100nA | 0.1% ± 300nA | 100nA | 0.1% ± 300nA |
| 10mA | 1uA | 0.1% ± 5uA | 1uA | 0.1% ± 5uA |
| 100mA | 10uA | 0.1% ± 20uA | 10uA | 0.1% ± 20uA |
| 1A | 100uA | 0.1% ± 2mA | 100uA | 0.1% ± 2mA |
大输出功率：30W，4象限源或肼模式
源限度：电压源：± 30V （≤ 1A 量程），± 300V （≤ 100mA 量程）；
电流源：± 1.05A （≤ 30V 量程），± 105mA （≤ 300V 量程）；
过量程： 105% 量程，源和测量；
稳定负载电容： <22nF ；
宽带噪声 (20MHz) ： 2mV RMS （典型值）， <20mV Vp-p （典型值）；
线缆保护电压：输出阻抗 1K Ω，输出电压偏移 <80uV ；
大采样速率 ： 1000 采样点 / ；
触发：支持 IO 触发输入及输出，触发性可配置；
输出接口：后面板香蕉头插座输出，同一时刻只能用或者后面板接口；
通信口： RS-232 、 GPIB 、以太网；
电源： AC 100~240V 50/60Hz ；
工作环境： 25 ± 10 ℃；
尺寸： 106mm 高 × 255mm 宽 × 425mm 长；
武汉普赛斯仪表是普赛斯电子的全资子公司，致力于半导体器件的测试仪表和测试方案的研发、生产与销售，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体行业提供可扩展的方案、应对设备、设计与低成本的挑战。
国内率先推出的基于源表（源测单元）的两大系列产品：台式源表系列、源表单元系列，在光通信 CHIP和有源光器件厂家广泛使用。
普赛斯S系列源表精度高，测试效率高，可进行超低电流和高电压测试，国产自主研发，替代进口，价格实惠。集成电路IC测试源表,源表厂家认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；
S型数字源表应用优势：
1、多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高达300V，电流低至30pA；
2、实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率。
3、具备对测试器件的保护功能，可进行自我限制，避免因过充而造成的对测试器件的损害；
精确的电压电流限制功能，为器件提供完善的保护功能，避免器件损坏。
4、触屏图形化操作，使用简单。开放式平台，可根据实际应用的需求而针对性的开发软件。
