产品展示
优质供应
详细内容
• 可应对极限条件下使用的抗辐射设计
• 实时成像功能
• 200µm 像素尺寸
• 高达 65536 级灰阶
• X 射线能级范围稷盖从 20kV 到 15MV
• 可选电路增益设宽
• 千兆兆网传输接口
传感器
平板单基片非晶硅活性 TFT/二极管阵列
闪烁体直接沉积式碘化铯CsI 或多种可选硫氧化钆
(GOS)闪烁体
像素矩阵........................................................... 1024x 1024 @ 200 μm 像素尺寸
电子器件
放大器8x128 制定通道低噪声电路并设定有 2 个(AO 型)或
6 个(AP 型)用户可选增益设置选项
ADC..14-bit(AO),16-bit(AP)
数据读出模式 | 像素矩阵 | 像索(μm2) | 帧率(fps) |
方形 | 1024x1024 | 200x200 | 1525 |
| 512x512 | 400x400 | 3050 |
矩形组合 | 1024x512 1024x256 | 200x400 200x800 | n/a50 n/a100 |
分区读出 | 1024*512 1024*256 | 200*200 200x200 | n/a50 n/a100 |
机械参数
外形尺寸...................................................295mm (w) x 360 mm (I)* 22 mm (h)
重星3.7 kg
整体封装铝合金外売
外防护盒式外防护可将平板集成式安装,针对高能级射线
应用设计(选购)