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产品展示

芬兰原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P300BV

点击次数:82发布时间:2020/6/2 15:17:45

芬兰原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P300BV

更新日期:2020/6/2 15:17:45

所 在 地:

产品型号:PICOSUN™ALD-P300

简单介绍:PICOSUN? P-300系统已经成为高产能ALD制造业的新标准。拥有的热壁、完全独立的前驱体管路和特殊的载气设计,确保我们可以生产出具有优异的成品率、低颗粒水平和卓越的电学和光学性能的高质量ALD薄膜。高效紧凑的设计使得维护更加方便、快捷,限度的减少了系统的维护停工期和使用成本。拥有技术的Picoflow?使得在超高深宽比结构上沉积保形性薄膜更高效,并已在生产线上得到验证。

优质供应

详细内容

芬兰原子层沉积技术PICOSUN?ALD-P300BV


PICOSUN? P-300系统已经成为高产能ALD制造业的新标准。拥有的热壁、完全独立的前驱体管路和特殊的载气设计,确保我们可以生产出具有优异的成品率、低颗粒水平和卓越的电学和光学性能的高质量ALD薄膜。高效紧凑的设计使得维护更加方便、快捷,限度的减少了系统的维护停工期和使用成本。拥有技术的Picoflow?使得在超高深宽比结构上沉积保形性薄膜更高效,并已在生产线上得到验证。



PICOSUN? P-300BV系统代表了*尖端的工业化ALD工艺水平。这个系统是为半自动化的批量生产而设计。设备本身针对快速批量生产进行了优化,并允许通过SECS/GEM整合到自动化生产线上。拥有加热选项的真空加载系统可以对敏感的基底进行洁净加工并沉积金属氮化物薄膜。


薄膜沉积PICOSUN?ALD-P300B型 技术参数:


衬底尺寸和类型

200mm晶圆 25片/批次(标准间距)

150mm 晶圆 50片/批次(标准间距)

100mm 晶圆 75片/批次(标准间距)

非标准晶圆类基底(使用定制夹具)

高深宽比基底(深宽比1:2500)

工艺温度
50 – 500°C


标准工艺 

· 批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环*

· Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN,TiN以及   各种金属

·  同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ

   (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**


基片加载

气动升降,手动装载

线性半自动装载


前驱体

液态,固态,气态,臭氧源

源瓶余量传感器,提供清洗和装源服务

4根独立的源管线,*多加载8个前驱体源


薄膜沉积PICOSUN?ALD-P300B 应用案例
集成电路组件
微机电系统
氧化物间隔层

间聚介质

高K栅介质

隧穿氧化物薄膜

氧化物阻挡层

钝化层

间隙填充层

覆盖层

铜阻挡层和种子层

粘附层

扩散阻挡层

电极

金属化

扩散阻挡层

耐磨涂层

电荷耗散层

导热层

导电种子层

刻蚀阻挡层

电绝缘层

防摩擦层

防粘着层

光学薄膜

生物兼容层

密封层

纳米孔封堵层

其它
显示

晶体管

电容器

存储器

读写磁头

钝化

透明导电薄膜

绝缘层


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