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产品展示

芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列

点击次数:141发布时间:2020/6/2 15:32:15

芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列

更新日期:2020/6/2 15:32:15

所 在 地:

产品型号:PICOSUN™ ALD R-200系列

简单介绍:芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列:PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性,包括*具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度*小的薄膜层。在*基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。

优质供应

详细内容

名称:原子层沉积系统
品牌:PICOSUN
产地:芬兰
型号:PICOSUN? ALD R-200系列


芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列:PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性,包括*具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度*小的薄膜层。在*基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。


兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列  技术参数


底尺寸和类型


50 – 200 mm /单片

可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺)

156 mm x 156 mm 太阳能硅片

3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳)

粉末与颗粒(配备扩散增强器)

多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品

工艺温度

50 – 500 °C, 可选更高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C

基片传送选件

气动升降(手动装载)

预真空室安装磁力操作机械手(Load lock )

前驱体

液态、固态、气态、臭氧源

4根独立源管线,*多加载6个前驱体源

对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出

重量

350kg

尺寸( W x H x D)

取决于选件

*小146 cm x 146 cm x 84 cm

189 cm x 206 cm x 111 cm

选件

PICOFLOW?扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集

成(用于惰性气体下装载)。

验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺



客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。

材料
非均匀性(1σ)
AI2O3 (batch)
0.13 %
SiO2 (batch)
0.77 %
TiO2
0.28 %
HfO2
0.47 %
ZnO
0.94 %
Ta2O5
1.0 %
TiN
1.10 %
CeO2
1.52 %
Pt
3.41 %


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企业档案

  • 会员类型:免费会员
  • 工商认证: 【未认证】
  • 最后认证时间:
  • 法人:
  • 注册号:
  • 企业类型:个体商户
  • 注册资金:人民币万

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