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NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀

点击次数:139发布时间:2020/6/1 11:35:08

NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀

更新日期:2024/3/28 10:00:47

所 在 地:

产品型号:NIE-4000 (A)

简单介绍:NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。

优质供应

详细内容

IBE离子束刻蚀系统

NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。

NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。

NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品特点:

  • 14.5”不锈钢立体离子束腔体

  • 16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板

  • 离子束中和器

  • 氩气MFC

  • 6”水冷样品台

  • 晶片旋转速度310RPM,真空步进电机

  • 步进电机控制晶圆片倾斜

  • 自动上下载晶圆片

  • 典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500 ?/min

  • 6”范围内,刻蚀均匀度+/-3%

  • 极限真空5x10-7Torr20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l/s涡轮分子泵)

  • 配套1000 l/s涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr

  • 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化

  • 基于LabView软件的PC计算机全自动控制

  • 菜单驱动,4级密码访问保护

  • 完整的安全联锁

NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀 Features:

  • 14.5" SS Cube ion beam chamber

  • 16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters

  • Ion Beam neutralizer

  • Ar MFC

  • Chilled water cooled 6” substrate platen

  • Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor

  • Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal

  • Manual wafer load/unload

  • Typical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si

  • +/-3% etch uniformity over 6“ area

  • 5x 10-6 Torr < 20 minutes <2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo

  • 8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump

  • Magnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidation

  • PC Controlled with LabVIEW Software

  • Recipe Driven, Password Protected

  • Fully Safety Interlocked


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  • 会员类型:免费会员
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  • 企业类型:生产商
  • 注册资金:人民币万

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