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NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀
点击次数:139发布时间:2020/6/1 11:35:08
更新日期:2024/3/28 10:00:47
所 在 地:
产品型号:NIE-4000 (A)
优质供应
详细内容
IBE离子束刻蚀系统
NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。
NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。
NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品特点:
14.5”不锈钢立体离子束腔体
16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
离子束中和器
氩气MFC
6”水冷样品台
晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机
步进电机控制晶圆片倾斜
自动上下载晶圆片
典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500 ?/min
6”范围内,刻蚀均匀度+/-3%
极限真空5x10-7Torr,20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l/s涡轮分子泵)
配套1000 l/s涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr
磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动,4级密码访问保护
完整的安全联锁
NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀 Features:
14.5" SS Cube ion beam chamber
16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
Ion Beam neutralizer
Ar MFC
Chilled water cooled 6” substrate platen
Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor
Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
Manual wafer load/unload
Typical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si
+/-3% etch uniformity over 6“ area
5x 10-6 Torr < 20 minutes <2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
Magnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidation
PC Controlled with LabVIEW Software
Recipe Driven, Password Protected
Fully Safety Interlocked