ENJ2005-C 功率器件图示系统
测试参数:
漏电参数:IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数:IL
配置规格:
配置 | 规格/环境 | ||
主极电压 | 1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280(mm) |
电压分辨率 | 1mV | 质 量 | 35kg |
主极电流 | 0.1nA-100A | 工作电压 | 200V-240V |
扩展电流 | / | 电源频率 | 47Hz-63Hz |
电流分辨率 | 0.1nA | 工作温度 | 25℃-40℃ |
测试精度 | 0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
测试速度 | 0.5mS/参数 | 系统功耗 | <150w |
测试范围:
01 | 二极管 / DIODE |
02 | 晶体管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型场效应管 / J-FET |
04 | MOS场效应管 / MOS-FET |
05 | 双向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
08 | 硅触发可控硅 / STS |
09 | 达林顿阵列 / DARLINTON |
10 | 光电耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 继电器 / RELAY |
12 | 稳压、齐纳二极管 / ZENER |
13 | 三端稳压器 / REGULATOR |
14 | 光电开关 / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大类27分类 |